Тюнинг бу: Самый дешевый магазин тюнинга в России «ДД»

Прошивка ЭБУ двигателя (электронного блока управления двигателем): цены

Что такое прошивка ЭБУ двигателя

Что правится в прошивке ЭБУ

Как устанавливается прошивка

Почему не нужно перепрошивать ЭБУ самостоятельно

Почему стоит выбрать тюнинг-програмы АДАКТ

Электронный блок управления двигателя (ЭБУ, контроллер) — мозговой центр автомобиля. Он принимает сигналы от всех систем, согласовывает и отслеживает неисправности.

Некоторые функции ЭБУ:

• управляет впрыском топлива;
• регулирует положение дроссельной заслонки;
• контролирует зажигание;
• анализирует состав отработавших газов;
• управляет фазами газораспределения;
• определяет неисправности и информирует водителя о них.

Что такое прошивка ЭБУ двигателя

Программирование ЭБУ двигателя изначально делается производителем. Однако стоковая прошивка не адаптирована под конкретные климатические условия и стиль езды. Более того, на современных авто программно ограничивается мощность из-за экологических требований. Прошивка ЭБУ — это изменение параметров в заводской программе, которое позволяет обойти ограничения.

Аналог прошивки электронного блока управления — установка операционной системы на компьютер или смартфон. При одинаковом железе результаты отличаются.

Плюсы прошивки:

• Повысится мощность и крутящий момент;
• Разгон станет быстрее;
• При желании отключается неисправный катализатор или сажевый фильтр;
• Улучшается работа при включенном кондиционере;
• Педаль газа реагирует быстрее;
• Исчезает турбояма (двигатели с турбиной).

Компания АДАКТ принципиально против удаления корректно работающего катализатора, особенно в сервисах, которые предлагают это сделать бесплатно.

Минусы прошивки:

• Нужно заправляться на проверенных АЗС;
• Повышается нагрузка на экологию при переходе на Е2.

Что правится в прошивке ЭБУ

В зависимости от целей чип-тюнинга при программировании ЭБУ двигателя может вносится более 1000 калибровок. Чаще изменения касаются:

• топливодачи, порогов обогащения, ограничения топливоподач при ускорении;
• давления наддува на турбированных двигателях в экономичном и мощностном режиме;
• байтов аппаратной конфигурации и маски ошибок;
• лимитов момента, топливоподачи и наддува;
• алгоритма работы диспетчера режимов;
• лимитов оборотов отключения ТП и V max.

Как устанавливается прошивка

1. Чип-тюнинг начинается с диагностики двигателя. Есть правило: нельзя шить неисправный автомобиль.
2. Считывается оригинальная прошивка ЭБУ или идентификаторы. Она модернизируется или выбирается готовая оптимизированная версия.
3. Далее прошивку записывают. Одни блоки прошиваются без снятия и разборки с помощью адаптера через диагностический разъем OBDII. На других стоят ЭБУ, которые для перепрограммирования снимают. В этом случае есть варианты с разборкой и пайкой или без них.
4. ЭБУ устанавливается на место. Владелец делает тестовый заезд.

Почему не нужно перепрошивать ЭБУ самостоятельно

Чтобы прошить ЭБУ двигателя, чип-тюнер должен обладать знаниями, квалификацией и опытом работы. Требуется специальное оборудование и свежая прошивка от проверенных калибровщиков.

Большинство автовладельцев пытается сделать своими руками, чтобы меньше тратиться. Но даже при наличии оборудования экономия минимальна. Если вы не планируете профессионально заниматься чип-тюнингом, лучше довериться оифиальным партнерам компании АДАКТ. Они проведут диагностику, подберут оптимальную версию прошивки и установит её с гарантией.

Почему стоит выбрать тюнинг-програмы АДАКТ

• Вы получаете 10 дней тест-драйва, чтобы проверить качество прошивки;
• Из российских калибровщиков только АДАКТ прошли сертификацию по стандартам ГОСТ Р ИСО 9001-2011;
• Опыт калибровщиков более 14 лет. Специализация — гражданский тюнинг (для рядовых водителей, а не гонщиков). Вам гарантированно установят рабочую и проверенную программу. Специальный сертификат подтвердит это;
• Выгодные цены.

Где прошить ЭБУ

Рекомендуем посмотреть

Автомобили из Америки, авто из США, новые автомобили из США, подержанные автомобили с аукционов США

Наша компания AutoBazar.US – это ваш надежный партнер по вопросам покупки авто с аукциона США с доставкой. Мы доставим авто в любую страну: Россию, Беларусь, Украину, Казахстан, Грузию, Азербайджан, Узбекистан, а также Германию, Китай, Южную Корею и тд. Уже 20 лет мы оказываем свои услуги:

• Поиск авто в США с ценами;
• Заказ авто из США;
• Пригнать авто из США.

Мы знаем свое дело и можем гарантировать чистоту и безопасность каждой сделки.

С кем мы сотрудничаем при покупке авто из США (Америки)?

Тех, кому могут понадобиться наши услуги немало. В их числе:

Обычные потребители, физические лица. Им просто нужно купить хорошую машину без риска нарваться на мошенников, а также им часто нужна услуга растаможка авто из США. Дилеры, которые занимаются продажей качественных бу автомобилей импортного (американского) производства; Брокеры – специалисты, которые от лица заказчика производят все операции: поиск, покупку, оформление. К каждому клиенту мы находим индивидуальных поход, стараемся максимально вникнуть в запросы, предпочтения, возможности. В результате такого сотрудничества все получают тот результат, который им нужен.

Всесторонняя помощь, покупка под ключ

Мы не только занимаемся сопровождением сделки, но и предоставляем отдельные услуги:

• Поиск машин по разным параметрам на аукционах;
• Консультации по покупке и оформлению документов;
• Помощь по растаможке и транспортировке.

Мы следим за качеством своих услуг, не работаем с мошенническими системами, только легальные и надежные аукционы США по продаже авто:

• Manheim;
• ADESA;
• Iaai;
• Copart.

Основная часть нашего бизнеса – это экспорт новых автомобилей из США. Если вам нужна новая машина из Америки, то мы с удовольствием поможем вам осуществить мечту. Посетите раздел «Новые авто» на нашем сайте, чтобы больше узнать о наших возможностях.

Отзывы о нашей работе собраны в отдельном разделе, чтобы вы могли предварительно ознакомиться и убедиться в нашей порядочности. Мы поможем найти подходящий аукцион машин, где можно приобрести не только автомобили, а также скутеры, мотоциклы, водный транспорт, трейлеры, спецтехнику и т.д. Если необходимо, мы произведем ремонт техники, и отправить вам уже восстановленный автомобиль.

Вас приятно удивит цена, мы поможем рассчитать стоимость доставки – все сотрудничество предельно прозрачное. Если вы хотите расти и зарабатывать вместе с нами, советуем почитать раздел «Как стать дилером».

Покупая с нами, вы надежно себя защищаете от недобросовестных продавцов, битых машин и других разочарований. AutoBazar.Us – это ваш партнер и доверенное лицо на авторынке новых и подержанных машин в Америке.

Мотосалон МОТОТОРГ — мотоциклы из Америки на заказ б/у, мото аксессуары, запчасти для мотоцыклов

ООО «МОТО ТОРГ» уже 10 лет на мото-рынке и мы всегда делаем интересное, качественное и разнообразное предложение нашим покупателям. Изначально основным направлением компании была продажа мотоциклов (не только бу мото, но и новой техники), продажа аксессуаров, тех.обслуживание и ремонт мотоциклов. Эта тема продолжает развиваться и особое внимание мы уделяем чепперам, круизерам и Goldwing. Любителям путешествий, выбирающих себе мотоциклы, чопперы -оптимальный вариант. Особенно радует то, что интерес наших покупателей вызывают не только повсеместно известные HARLEY-DAVIDSON, HONDA, YAMAHA, SUZUKI, KAWASAKI, но и более редкие «звери» — например легендарные Indian, максикубатурные BOSS HOSS или кастомы, созданные в единственном экземпляре. Подготовленные к дальним дорогам, зачастую уже с мото тюнингом (ветровое стекло, спинка, кофры) эти чоперы удовлетворят самого привередливого мотоциклиста. Наш мотосалон готов доставить любые мотоциклы и аксессуары из Америки. В ООО «МОТО ТОРГ» мотоцикл купить можно по самым демократичным ценам.

ООО «МОТО ТОРГ» продает мотоциклы и запчасти известных и зарекомендовавших себя на рынке компаний – Kuryakyn, Show Chrome, ветровые стекла от National Cycles, Cobra и другие.

Наши доброжелательные и компетентные консультанты помогут подобрать оригинальные запчасти и аксессуары для HONDA, YAMAHA, SUZUKI, KAWASAKI, HARLEY-DAVIDSON, TRIUMPH, POLARIS и других марок.

Если Вам нужно «приодеть» ваш чоппер, купить аксессуары, запчасти удобнее всего у нас. Мы строили наш web-сайт так, чтобы Вы смогли сравнить товары различных производителей. Все для самых популярных чопперов и круизеров, таких как Honda VTX1300 и VTX1800, HONDA GOLD WING (ГОЛД ВИНГ) GL1500 и GL1800, Yamaha DRAG STAR, Kawasaki VULKAN и др. С нашей помощью Вы можете подобрать качественные запчасти не выходя из дома, воспользовавшись нашим Интернет-магазином (www. mototorg.ru). Обращаем Ваше внимание на то, что в список оказываемых нами услуг входит доставка купленных у нас товаров в пределах Москвы, Московской области и отправка грузов в регионы, что делает покупку и заказ запчастей от ООО «МОТО ТОРГ» весьма удобной.

Особое внимание на страницах нашего интернет-магазина товаров для мотоциклов уделено легенде – HONDA GOLD WING (ГОЛД ВИНГ). Непроходящая популярность мотоциклов GL1500 и GL1800 заставляет уделить Gold Wing отдельное внимание. Товары от Kuryakyn, Show Chrome, BigBikeParts, Add-on, National Cycle, Cobra и многие другие всегда в наличии.

Специалисты нашего сервиса могут произвести необходимые работы по установке приобретенных комплектующих. В перечне работ нашего мотосервиса не только обслуживание и ремонт мотоциклов, но и тюнинг любых мотоциклов, в том числе тюнинг-ателье Goldwing.

Обучение чип-тюнингу

ДОГОВОР-ОФЕРТА

(далее по тексту – «Договор» или «Оферта» или «Договор-оферта»)

ООО «Инжиниринговый научно-образовательный центр «СМАРТ», в лице
Генерального директора Клюкиной Александры Викторовны, действующей на
основании Устава, именуемое в дальнейшем «Продавец», заключает настоящий
Договор, являющийся публичной офертой, в соответствии со ст. 435 и ч. 2.
ст. 437 Гражданского кодекса Российской Федерации, на указанных ниже
условиях, с любым физическим или юридическим лицом, а также индивидуальным
предпринимателем, именуемым в дальнейшем «Покупатель», которое принимает
настоящее предложение путем осуществления действий, указывающих на акцепт
им условий настоящего Договора (регистрация Покупателя на сайте, оформление
заказа и (или) оплата). Настоящий Договор определяет условия купли-продажи
курса дистанционных семинаров с набором для практики «Основы автомобильной
электрики» (далее – «курс») через сайт http://ecsmart.ru/i-electric/, в
дальнейшем «сайт», а также правила использования материалов сайта,
Покупатель и Продавец в настоящем Договоре в дальнейшем именуются по
отдельности «Сторона, а вместе — «Стороны».

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1. Настоящий Договор в соответствии со ст. 435, 437 Гражданского Кодекса
Российской Федерации является публичной офертой (предложением) Продавца в
адрес Покупателей (физических и юридических лиц, а также индивидуальных
предпринимателей), содержащей существенные условия Договора по
купле-продаже представленного на сайте курса.

1.2. Настоящий Договор приобретет юридическую силу между Сторонами только
при условии принятия Покупателем условий настоящего Договора – совершения
акцепта настоящего Договора (присоединения к настоящему Договору).

1.3. Акцептом настоящего Договора является регистрация Покупателя на сайте
при оформлении заказа на курс, а также иные действия Покупателя,
подтверждающие его намерение приобрести курс. Такие действия признаются
Сторонами как выражение Покупателем согласия о полном и безоговорочном
принятии условий настоящего Договора в соответствии со ст. 438 Гражданского
кодекса Российской Федерации.

2. ПРЕДМЕТ ОФЕРТЫ

2.1. Предметом Оферты является купля-продажа курса, размещенного на сайте:
http://ecsmart.ru/i-electric/

2.2. Настоящий Договор заключается между Продавцом и Покупателем в момент
регистрации Покупателя на сайте http://ecsmart.ru/i-electric/ при
оформлении заказа на курс и является обязательным условием приобретения
курса Покупателем.

2.3. При оформлении и оплате заказа на курс Покупатель соглашается с
условиями, оговоренными настоящим Договором-Офертой.

3. ПОРЯДОК ПРИОБРЕТЕНИЯ КУРСА

3.1. Курс представлен на сайте Продавца и включает составляющие курса:
первая часть курса: набор для практики, тетрадь к курсу; вторая часть
курса: дистанционные семинары курса, а именно 18 (восемнадцать)
видеоматериалов для самостоятельных работ с ключом доступа; дистанционные
консультации в объеме 16 (шестнадцать) академических часов. По завершению
курса Покупателю предоставляется Сертификат о прохождении курса и карта
SMART (Сертификат о прохождении курса и карта SMART направляются Покупателю
почтой РФ не позднее 14 (четырнадцати) календарных дней с даты завершения
прохождения курса Покупателем, на основании отметки тренера о прохождении
курса Покупателем). Сайт Продавца содержит следующую информацию о курсе и
его составляющих: фото-образцы набора для практики и других составляющих
курса, являющиеся собственностью Продавца, текстовую информацию о курсе,
наименовании курса, составляющих курса и описании составляющих курса,
стоимости курса, способе оплаты курса и условиях поставки курса и иную
информацию.

3.2. С целью приобретения курса Покупатель проходит регистрацию на сайте
Продавца и оформляет заказ на курс, представленный на сайте Продавца. При
регистрации Покупатель указывает в форме регистрации следующую информацию:
фамилию, имя и отчество; контактный телефон, адрес электронной почты. При
оформлении заказа на курс Покупатель указывает в заказе на курс следующую
информацию: наименование курса; количество курсов; способ оплаты курса;
адрес получения курса.

3.3. При оформлении Покупателем заказа на курс на сайте Продавца Покупатель
осуществляет оплату стоимости курса или отдельных частей курса посредством
безналичного перечисления денежных средств по оплате стоимости курса или
отдельных частей курса на сайте Продавца, либо путем получения квитанции на
оплату стоимости курса или отдельных частей курса с последующей оплатой
стоимости курса или отдельных частей курса в отделении банка.

3.4. Курс состоит из двух частей, первая часть курса включает в себя
следующие составляющие курса: набор для практики, тетрадь к курсу; вторая
часть курса состоит из дистанционных семинаров курса, а именно 18
(восемнадцати) видеоматериалов для самостоятельных работ с ключом доступа,
размещенных на сайте Продавца; дистанционных консультаций в объеме 16
(шестнадцати) академических часов, размещенных на сайте Продавца.

3.5. При авансовой оплате Покупателем первой части курса, составляющей 50%
от стоимости курса, Продавец направляет Покупателю по почте первую часть
курса, включающую составляющие курса: набор для практики, тетрадь к курсу.
С момента авансовой оплаты Покупателем 100% стоимости курса Продавец
открывает Покупателю доступ к второй части курса: к дистанционным семинарам
курса, а именно 18 (восемнадцати) видеоматериалам для самостоятельных работ
с ключом доступа, размещенным на сайте Продавца; дистанционным
консультациям в объеме 16 (шестнадцати) академических часов, размещенным на
сайте Продавца. По завершению курса Покупателю предоставляется Сертификат о
прохождении курса и карта SMART (Сертификат о прохождении курса и карта
SMART направляются Покупателю почтой РФ не позднее 14 (четырнадцати)
календарных дней с даты завершения прохождения курса Покупателем, на
основании отметки тренера о прохождении курса Покупателем).

3. 6. При наличии у Продавца наборов для практики к курсу Продавец
осуществляет отправку первой части курса Покупателю почтой РФ в течение 5
(пяти) рабочих дней с даты поступления денежных средств по оплате стоимости
первой части курса на расчетный счет Продавца.

3.7. При отсутствии у Продавца наборов для практики к курсу Продавец
осуществляет отправку первой части курса Покупателю почтой РФ в течение 10
(десяти) рабочих дней с даты поступления денежных средств по оплате
стоимости первой части курса на расчетный счет Продавца.

3.8. Продавец предоставляет Покупателю доступ к второй части курса не
позднее 5 (пяти) рабочих дней с даты поступления денежных средств по оплате
100% стоимости курса (в соответствии с п. 3.5. настоящего Договора) на
расчетный счет Продавца.

4. СТОИМОСТЬ КУРСА И ПОРЯДОК ОПЛАТЫ

4.1. Стоимость курса, указанного в настоящем Договоре, указана на сайте
Продавца. Стоимость курса НДС не облагается в связи с применением Продавцом
упрощенной системы налогообложения на основании пункта 2 статьи 346. 11
главы 26.2 Налогового кодекса Российской Федерации. В указанную стоимость
курса не входит оплата услуг банка. Стоимость курса на сайте Продавца
указана в валюте РФ за 1 (один) курс.

4.2. Стоимость курса, заказанного на сайте Продавца, оплачивается
Покупателем посредством внесения авансового платежа полной стоимости курса
(100% предоплата) или авансового платежа частей курса (50% предоплата за
каждую часть курса) путем безналичного перечисления денежных средств по
оплате стоимости курса или частей курса на расчетный счет Продавца при
оформлении заказа на курс на сайте Продавца или посредством оплаты
квитанции в отделении банка.

4.3. Срок оплаты первой части курса Покупателем – в момент оформления
Покупателем заказа на курс на сайте Продавца или в течение 5 (пяти)
банковских дней с даты оформления заказа на курс на сайте Продавца. Срок
оплаты второй части курса Покупателем – в момент оформления Покупателем
заказа на курс на сайте Продавца или иной срок с даты оформления заказа на
курс на сайте Продавца при условии оплаты первой части курса в течение 5
(пяти) банковских дней с даты оформления заказа на курс на сайте Продавца.

4.4. Стоимость первой части курса включает в себя стоимость составляющих
первой части курса (набор для практики, тетрадь к курсу) и стоимость
отправки первой части курса Покупателю почтой РФ в любой регион РФ.
Стоимость второй части курса включает в себя предоставление Покупателю
доступа к дистанционным семинарам курса, а именно 18 (восемнадцати)
видеоматериалам для самостоятельных работ с ключом доступа, размещенным на
сайте Продавца; дистанционным консультациям в объеме 16 (шестнадцати)
академических часов, размещенным на сайте Продавца.

4.5. При непоступлении от Покупателя на расчетный счет Продавца денежных
средств по оплате стоимости первой части курса в течение 5 (пяти)
банковских дней с даты оформления заказа на курс на сайте Продавца в
соответствии с п. 4.3. настоящего Договора, Продавец не осуществляет
отправку Покупателю почтой РФ первой части курса, включающей составляющие
курса: набор для практики, тетрадь к курсу и оставляет за собой право
аннулировать заказ Покупателя. При непоступлении от Покупателя на расчетный
счет Продавца денежных средств по оплате стоимости второй части курса в
соответствии с п. 4.3. настоящего Договора, Продавец оставляет за собой
право отказать Покупателю в предоставлении доступа к второй части курса,
включающей дистанционные семинары курса, а именно 18 (восемнадцать)
видеоматериалов для самостоятельных работ с ключом доступа, размещенные на
сайте Продавца; дистанционные консультации в объеме 16 (шестнадцать)
академических часов, размещенные на сайте Продавца.

4.6. Выбор и использование способа оплаты стоимости курса производится
Покупателем по собственному усмотрению и без предусмотренной
ответственности Продавца. Информация о способах оплаты курса по настоящему
Договору доступна при оформлении Покупателем заказа на курс на сайте
Продавца.

4.7. Днем оплаты курса или частей курса Покупателем считается день
поступления денежных средств по оплате курса или частей курса на расчетный
счет Продавца.

5. ДОСТАВКА КУРСА

5.1. Отправка первой части курса Покупателю осуществляется отправкой почтой
РФ в соответствии с пп. 3.6., 3.7. настоящего Договора по адресу получения
курса, указанному Покупателем при оформлении заказа на курс в соответствии
с п. 3.2. настоящего Договора, при условии авансовой оплаты Покупателем
стоимости первой части курса в соответствии с п. 4.2. настоящего Договора.

5.2. Предоставление доступа к второй части курса Покупателю осуществляется
на сайте Продавца в соответствии с п. 3.8. настоящего Договора, при условии
авансовой оплаты Покупателем стоимости второй части курса в соответствии с
п. 4.2. настоящего Договора.

5.3. Продавец не несёт ответственности за сохранность первой части курса и
его составляющих, упаковки первой части курса при пересылке первой части
курса Покупателю почтой РФ.

5.4. По завершению курса Покупателю предоставляется Сертификат о
прохождении курса и карта SMART. Сертификат о прохождении курса и карта
SMART направляются Покупателю почтой РФ не позднее 14 (четырнадцати)
календарных дней с даты завершения прохождения курса Покупателем, на
основании отметки тренера о прохождении курса Покупателем.

6. ИНФОРМАЦИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ КУРСА НА САЙТЕ

6.1. В связи с разными техническими характеристиками составляющих курса
фактически предоставленные Покупателю курс и его составляющие могут
отличаться от представленной на сайте Продавца информации о курсе, в том
числе фотографий и характеристик составляющих курса.

6.2. Любые характеристики курса и его составляющих могут отличаться от
описанных на сайте Продавца.

7. ПРАВА И ОБЯЗАННОСТИ СТОРОН

7.1. Продавец обязан:

7.1.1. Зарегистрировать Покупателя на сайте Продавца и принять его заказ на
курс при получении от него заказа в электронном виде на сайте Продавца
согласно формам и правилам, устанавливаемым сайтом Продавца
http://ecsmart. ru/i-electric/.

7.1.2. Предоставить Покупателю информацию об основных характеристиках и
составляющих курса, об адресе (месте нахождения) Продавца, о полном
наименовании Продавца, о стоимости и условиях приобретения курса и частей
курса, о его доставке и сроках доставки частей курса, о предоставлении и
сроках предоставления доступа к частям курса, о порядке оплаты и сроках
оплаты курса и частей курса, а также о сроке, в течение которого действует
настоящий Договор.

7.1.3. Предоставить Покупателю возможность получения бесплатных телефонных
консультаций по телефонам, указанным на сайте Продавца. Объем консультаций
ограничивается конкретными вопросами Покупателя, связанными с выполнениями
заказа на курс.

7.1.4. На основании заказа Покупателя на курс и авансовой оплаты
Покупателем стоимости первой части курса в соответствии с п. 4.2.
настоящего Договора подготовить и осуществить отправку Покупателю первой
части курса почтой РФ в соответствии с пп. 3.6., 3.7. настоящего Договора,
а также уведомить Покупателя об отправке ему первой части курса.

7.1.5. В случае отсутствия у Продавца наборов для практики к курсу при
оплате Покупателем стоимости первой части курса, Продавец обязан уведомить
об этом Покупателя и проинформировать Покупателя об увеличении срока
отправки первой части курса Покупателю с 5 (пяти) до 10 (десяти) рабочих
дней с даты поступления денежных средств по оплате стоимости первой части
курса на расчетный счет Продавца в соответствии с пп. 3.6., 3.7. настоящего
Договора.

7.1.6. На основании заказа Покупателя на курс и авансовой оплаты
Покупателем стоимости второй части курса в соответствии с п. 4.2.
настоящего Договора предоставить доступ Покупателю к второй части курса на
сайте Продавца в соответствии с п. 3.8. настоящего Договора.

7.1.7. По завершению курса предоставить Покупателю Сертификат о прохождении
курса и карту SMART (Сертификат о прохождении курса и карта SMART
направляются Покупателю почтой РФ не позднее 14 (четырнадцати) календарных
дней с даты завершения прохождения курса Покупателем, на основании отметки
тренера о прохождении курса Покупателем).

7.1.8. Не разглашать любую информацию Покупателя и не предоставлять доступ
к этой информации третьим лицам, за исключением случаев, предусмотренных
Российским законодательством.

7.2. Продавец вправе:

7.2.1. Отказать в отправке первой части курса и предоставлении доступа ко
второй части курса Покупателю в случае непоступления от Покупателя оплаты
за курс или части курса в установленные сайтом Покупателя и настоящим
Договором сроки и/или при отсутствии полностью оформленного заказа на курс
от Покупателя на сайте Продавца и/или отсутствии информации Покупателя при
регистрации Покупателя на сайте Продавца, и/или в случае отсутствия других
действий Покупателя, необходимых для предоставления Покупателю курса.

7.2.2. В случаях, когда Покупатель в нарушение закона, иных правовых актов
или настоящего Договора не принимает оплаченный им курс или части курса
и/или отказывается принять курс или части курса, Продавец вправе
потребовать от Покупателя принять курс или части курса, или отказаться от
исполнения настоящего Договора.

7.2.3. Отказаться от исполнения настоящего Договора в одностороннем порядке
при нарушении Покупателем условий настоящего Договора. Моментом расторжения
Договора считается дата направления соответствующего сообщения Покупателю
по электронной почте.

7.2.4. Аннулировать заказ Покупателя на курс при неоплате Покупателем
первой части курса в течение 5 (пяти) банковских дней с даты оформления
заказа на курс на сайте Продавца.

7.2.5. Изменять содержание сайта Продавца и любой представленной на сайте
Продавца информации о курсе без предварительного информирования Покупателя
об изменениях.

7.2.6. Производить направление информации Покупателю, в том числе с помощью
электронных списков рассылки, в которые включается адрес электронной почты
Покупателя.

7.2.7. Изменять настоящий Договор в одностороннем порядке.

7.3. Покупатель обязан:

7.3.1. До момента заключения настоящего Договора ознакомиться с содержанием
настоящего Договора-оферты, с представленной на сайте Продавца информацией
о курсе и частях курса, с условиями оплаты курса и частей курса, а также с
условиями доставки курса и частей курса.

7.3.2. Предоставлять достоверную информацию о себе при прохождении
регистрации и оформлении заказа на курс на сайте Продавца: фамилию, имя и
отчество; контактный телефон, адрес электронной почты, адрес для получения
курса.

7.3.3. Оплатить стоимость первой части курса в момент оформления
Покупателем заказа на курс на сайте Продавца посредством безналичного
перечисления денежных средств по оплате стоимости первой части курса на
сайте Продавца или путем получения квитанции на оплату стоимости первой
части курса с последующей оплатой стоимости первой части курса в отделении
банка в течение 5 (пяти) банковских дней с даты оформления заказа на курс
на сайте Продавца.

7.3.4. Оплатить стоимость второй части курса в момент оформления
Покупателем заказа на курс на сайте Продавца посредством безналичного
перечисления денежных средств по оплате стоимости второй части курса на
сайте Продавца или путем получения квитанции на оплату стоимости второй
части курса с последующей оплатой стоимости второй части курса в отделении
банка в иной срок с даты оформления заказа на курс на сайте Продавца при
условии оплаты первой части курса в течение 5 (пяти) банковских дней с даты
оформления заказа на курс на сайте Продавца.

7.4 Покупатель вправе:

7.4.1. Отказаться от оплаты курса или частей курса, аннулировав заказ на
курс, о чем немедленно известить Продавца.

7.4.2. В случае существенного нарушения требований к качеству полученной
Покупателем по почте первой части курса (обнаружение неустранимых
недостатков, недостатков, которые не могут быть устранены без несоразмерных
расходов или затрат времени или выявляются неоднократно либо проявляются
вновь после их устранения, и других подобных недостатков), при условии
возникновения недостатков до отправки первой части курса почтой РФ
Покупателю и предоставления Покупателем доказательств возникновения
недостатков до момента отправки первой части курса почтой РФ Покупателю,
Покупатель вправе по своему выбору: отказаться от исполнения данного
Договора и потребовать возврата уплаченной за первую часть курса денежной
суммы или потребовать замены первой части курса ненадлежащего качества
первой частью курса, соответствующей Договору.

8. ВОЗВРАТ И ОБМЕН КУРСА

8.1. Требование Покупателя об обмене первой части курса либо о возврате
первой части курса подлежит удовлетворению, если первая часть курса и
составляющие первой части курса, направленные Покупателю почтой РФ, не были
в употреблении, сохранены все свойства первой части курса и составляющих,
сохранена и не нарушена упаковка первой части курса, сохранены документы,
подтверждающие факт покупки этого курса Покупателем на сайте Продавца.

8.2. Срок требования Покупателя об обмене первой части курса либо о
возврате первой части курса составляет 7 (семь) календарных дней с момента
получения первой части курса Покупателем на почте РФ, либо в любое время до
отправки первой части курса Покупателю почтой РФ.

8.3. Покупатель компенсирует Продавцу все необходимые расходы по пересылке,
понесенные в связи с организацией обмена первой части курса или возврата
первой части курса.

8. 4. Требование Покупателя о полном возврате курса подлежит удовлетворению
Продавцом лишь в части возврата первой части курса при выполнении условий,
указанных в п. 8.1.-8.3. настоящего Договора. Вторая часть курса возврату
не подлежит.

9. ПЕРСОНАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ.

9.1. Продавец собирает и обрабатывает персональные данные Покупателя, а
именно: фамилия, имя, отчество Покупателя; контактный телефон Покупателя,
адрес электронной почты Покупателя, адрес доставки курса Покупателю в целях
выполнения условий настоящего Договора, доставки Покупателю заказанного
курса, а также в целях направления информации Покупателю.

9.2. Осуществляя заказ курса на сайте Покупателя
http://ecsmart.ru/i-electric/, Покупатель дает согласие на сбор и обработку
персональных данных о себе в целях осуществления доставки заказанного
курса, направления ему информации и исполнения условий настоящего Договора.

9.3. При сборе и обработке персональных данных Покупателей, Продавец не
преследует иных целей, кроме установленных в п. 9.1 настоящего Договора.

9.4. Доступ к персональным данным Покупателей имеют только лица, имеющие
непосредственное отношение к исполнению Заказов.

10. ДЕЙСТВИЕ НЕПРЕОДОЛИМОЙ СИЛЫ

10.1. Стороны освобождаются от ответственности за частичное или полное
неисполнение обязательств по настоящему Договору, если это неисполнение
явилось следствием обстоятельств непреодолимой силы, возникших после
заключения настоящего Договора в результате событий чрезвычайного
характера, которые Стороны не могли ни предвидеть, ни предотвратить.

10.2. Сторона, которая не исполняет своего обязательства по обозначенным в
п.10.1. настоящего Договора причинам, должна дать извещение другой Стороне
о препятствии и его влиянии на исполнение обязательств по настоящему
Договору.

10.3. Если обстоятельства непреодолимой силы действуют на протяжении 30
(тридцати) календарных дней и не обнаруживают признаков прекращения,
настоящий Договор может быть расторгнут Продавцом и Покупателем путем
направления уведомления другой Стороне.

11. ПОРЯДОК РАССМОТРЕНИЯ СПОРОВ

11.1. Стороны несут ответственность за неисполнение или ненадлежащее
исполнение настоящего Договора в порядке, предусмотренном настоящим
Договором и действующим законодательством РФ.

11.2. Все споры и разногласия, возникающие между Сторонами по исполнению
настоящего Договора, или в связи с ним, решаются Сторонами по возможности,
путем переговоров.

11.3. В случае невозможности разрешения споров и разногласий путем
переговоров, Стороны обращаются в Арбитражный суд г. Москвы в установленном
законодательством РФ порядке.

12. СРОК ДЕЙСТВИЯ И ПОРЯДОК РАСТОРЖЕНИЯ

12.1. Настоящий Договор действует до полного исполнения Сторонами
обязательств, возложенных на них положениями настоящего Договора.

12.2. Продавец вправе самостоятельно вносить изменения в текст настоящего
Договора путем утверждения Договора с изменениями и размещения Договора с
изменениями на сайте Продавца http://ecsmart. ru/i-electric/. Изменения
вступают в силу с момента публикации Договора на сайте. Оповещение
Заказчика о предстоящем изменении условий настоящего Договора производится
Исполнителем путем размещения измененного текста настоящего Договора на
сайте http://ecsmart.ru/i-electric/, при этом Покупатель обязуется
самостоятельно отслеживать изменения в тексте настоящего Договора путем
ознакомления с содержанием текста настоящего Договора. Такие изменения не
распространяются на стоимость курсов, оплаченных ранее внесения изменений в
текст настоящего Договора.

12.3. Настоящий Договор может быть расторгнут по инициативе любой из Сторон
путем направления письменного уведомления об этом другой Стороне с даты,
указанной в уведомлении. Такое уведомление должно быть направлено не менее
чем за 7 (семь) календарных дней до даты расторжения.

12.4. Настоящий Договор может быть расторгнут по письменному соглашению
Сторон.

12. 5. В случаях расторжения настоящего Договора по причинам, отличным от
перечисленных выше, вопросы перерасчетов и выплат решаются по письменной
договоренности Сторон или в установленном законом порядке.

12.6. Стороны обязуются произвести окончательные взаиморасчеты в течение 10
(десяти) рабочих дней с даты расторжения настоящего Договора, если иное не
предусмотрено соглашением о расторжении Договора.

13. ПРОЧЕЕ

13.1. Продавец оставляет за собой право изменять любую представленную на
сайте информацию о курсе, изменять настоящий Договор в одностороннем
порядке, изменять, расширять и сокращать предложение по покупке курса на
сайте, регулировать доступ к покупке курса, а также приостановить или
прекратить продажу курса по своему собственному усмотрению.

13.2. Настоящий Договор или Оферта или Договор-оферта должен
рассматриваться в том виде, как он опубликован на сайте
http://ecsmart.ru/i-electric/, и должен применяться и толковаться в
соответствии с законодательством Российской Федерации.

13.3. Стороны признают юридическую силу уведомлений, сообщений и письменных
обращений, направленных на контактные адреса электронной почты Сторон.
Такие уведомления, сообщения и письменные обращения приравниваются к
сообщениям и уведомлениям, исполненным в простой письменной форме,
направляемым на почтовые адреса Сторон.

13.4. В случае, если какое-либо из положений или условий настоящего
Договора будет признано недействительным, лишенным юридической силы или
ничтожным судом соответствующей юрисдикции, остальные положения настоящего
Договора сохраняют свою силу и продолжают действовать без изменений, а
положение, признанное ничтожным, заменяется действительным в силу
применимого закона, максимально близким, по своей сути и значению.

13.5. Настоящий Договор является полным и безоговорочным волеизъявлением
Сторон намерений, прав и обязательств. После заключения настоящего Договора
любые иные ранее имевшиеся договоренности, соглашения и заявления устного
или письменного характера, все предшествующие переговоры и переписка теряют
свою силу.

13.6. Во всем остальном, что не предусмотрено настоящим Договором, Стороны
руководствуются действующим законодательством Российской Федерации.

14. РЕКВИЗИТЫ ПРОДАВЦА

ООО «Инжиниринговый научно-образовательный центр «СМАРТ»

Юридический адрес: 125167, г. Москва, ул. Планетная, д. 11, помещение 6/22
РМ-4

Почтовый адрес: 125167, г. Москва, ул. Планетная, д. 11, помещение 6/22
РМ-4

ИНН: 7714893352 / КПП 771401001

ОГРН: 1127747261718

р/с: 40702810638040031563

в ПАО Сбербанк г. Москва

к/с: 30101810400000000225

БИК 044525225

Телефон: +7 (495) 772 49 59

E-mail: [email protected]

http://ecsmart.ru/i-electric/

Чип-тюнинг двигателя в Кирове, увеличение мощности, уменьшение расхода

Даём 2 недели теста наших прошивок! Если после процедуры чип-тюнинга Вам что-либо не понравится, мы сможем выполнить возврат к заводским настройкам в любой момент!

Суть процедуры чип тюнинга

Данную услугу предлагает наш автосервис. Это относительно новая операция, быстро набирающая популярность среди автовладельцев, а мы делаем чип тюнинг дешево и качественно. Суть заключается в перенастройке или перепрошивке ЭБУ, вследствие чего улучшаются показатели мощности, динамики и экономичности машины. Чип тюнинг двигателя не предполагает никакого механического вмешательства, работая чисто на уровне электроники. Если говорить простым языком, процедура сравнима с переустановкой операционной системы на компьютере – купив устройство с устаревшей программой (а ЭБУ для автомобиля так же является «мозгом», как ОС для компьютера), вы можете самостоятельно или с помощью специалиста переустановить её, по максимуму используя возможности современной техники.

Какие цели преследует чип тюнинг?

Данная процедура изменяет настройки блока управления, которые напрямую влияют на работу двигателя, определяя необходимое количество топлива, количество оборотов и прочие параметры. Грамотно проведенный чип тюнинг автомобиля выполняет следующие задачи:

сделать машину более экономичной, снизив расход топлива.

С помощью чип тюнинга можно раскрыть потенциал машины – это в равной степени касается как современных спортивных иномарок, так и отечественных автомобилей. Доступна процедура и для грузовых машин, и для мотоциклов. Она проводится независимо от типа двигателя – при этом чип тюнинг дизеля способен увеличить мощность авто до 40%!

Преимущества чип тюнинга

Такая перенастройка электронного блока управления имеет немало плюсов, оправдывающих затраты на услугу:

опциональная настройка ЭБУ по желанию владельца.

Это означает, что перепрошивка блока управления может быть любой: если владельцу важно сделать машину более быстрой и мощной, применяется агрессивный чип тюнинг, если он хочет снизить затратность – подходит эконом-вариант перенастройки. Также существует доработанный заводской вариант с небольшим снижением расхода топлива, а увеличение мощности двигателя на 3-5% не влияет на его ресурс.

Чип тюнинг в Кирове – обращайтесь к лучшим!

К основным недостаткам процедуры можно отнести её немалую стоимость – цена чип тюнинга в Кирове очень часто завышается. Специалисты нашего автосервиса производят чип тюнинг недорого для любых машин, импортных и отечественных. Перепрошивка занимает немного времени, после чего вы увидите скрытые возможности своего автомобиля. Используйте авто с максимальным комфортом и удовольствием, не переплачивая: перепрошивка программы ЭБУ в нашем сервисе выполняется качественно и недорого!

Автосервис в Самаре «Мобитоп» — ремонт иномарок по оптимальным ценам

Валерий Челищев

Ford-mondeo

Выражаю благодарность сотрудникам автосервиса Мобитоп за добросовестную работу. Капитальный ремонт двигателя моей машины был произведен оперативно и профессионально. Цена, которая мне по началу показалась довольно большой, в итоге оказалась абсолютно оправданной.

Григорий Стрельников

Acura ILX

Услугами сервиса остался полностью доволен! Тюнинг моего автомобиля был выполнен на высшем уровне. Теперь я являюсь постоянным клиентом Мобитоп и советую этот артосервис друзьям и коллегам.

Александр Ситников

Hyundai i50

SsangYong, 6MT, AWD, Бензин, 2012.
1. До этого обслуживался в другом сервисе. И на мои жалобы на стук в передней подвеске, после диагностики, отвечали что всё ок, защиту подкрутили, но стук оставался.
2. В Мобитоп есть немецкое оборудование для проверки ходовой, которое показало, что передние стойки нужно заменить, плюс автомастера указали на косвенные признаки — замятые отбойники. Визуально стойки не текут.
3. По факту получается, что официалы просто не хотели чинить по гарантии.
4. Так же очень быстро предположили причину мучившей меня проблемы с сигналкой и за 30 мин подтвердили. Хотя остальные электрики только чесали голову.
5. Вообще в глаза бросается высокий профессионализм мастеров в этой компании.
6. Также замечу, что здесь чинят, не только дорогие иномарки, а таких здесь не мало, но наши 10ки, газели, волги. Что говорит о приемлемой цене и соответствующем качестве.
7. Был в сервисе несколько раз. Диагностика, ремонт. Качеством остался доволен!
Такой сервис — находка. Рекомендую!

Баринов Николай

Клиент, Самара

Делали развал-схождение. Все супер!!! Спасибо!!! До этого был у официалов и еще в одном месте. Не могли нормально сделать.

Максим Калинин

Постоянный клиент, Самара

Мое авто буквально возродили из пепла после аварии. Кузовные работы, покраска и замена запчастей были произведены на отлично и по качеству и по срокам. Сотрудники этого сервиса действительно могут все!

Роберт Малюгин

Постоянный клиент

Обслуживаю и ремонтирую машину только здесь, уже около 4 лет. Хотя машина не новая, за 10 лет уже перевалило (Kia Spectra 2006 г.), благодаря грамотному обслуживанию ребят из «Мобитопа» работает, как часы (стучу по дереву :). Цены, сроки ремонта, внимательность механиков — все на хорошем профессиональном уровне. Рекомендую в качестве основного постгарантийного сервиса для иномарок.

Самойлов Сергей

Постоянный клиент

Я здесь постоянный клиент. Ни разу не было никаких претензий. Историю моей машины мастера знают, у них всё записано в компьютере, и поэтому лишний раз ничего объяснять не нужно. Также есть большой склад запасных частей — нет необходимости бегать самому по магазинам.

Трущебин В.А.

Клиент, Самара

Выражаю благодарность за человеческое отношение к своим обязанностям.

Семья Болотиных

Постоянные клиенты

Хотим выразить благодарность за профессионализм, качественное обслуживание, доброжелательность, индивидуальный подход к клиентам. Пользуемся Вашими услугами не первый год, всегда только положительные эмоции.

Кадров Владимир

Клиент

Ребята сделали кузовной ремонт моей машине, Хендай Элантра , на пять с плюсом. Прекрасное обслуживание персонала, удобное расположение здания центра, продуманный заезд на территорию, просторная площадка для машин клиентов, гибкие расценки. Цеховые площадки очень вместительные и напичканы всевозможным, новейшим, диагностическим оборудованием. Особая благодарность директору центра Константину, интеллигентный, образованный человек, буквально не отходил от нас пока не убедился, что машину забрали мастера и посадил нас с женой в такси. Теперь только сюда, очень понравилось.

Лебедки, запчасти и кронштейны к ним в г. Самара

Лебедки, запчасти и кронштейны к ним

Лебедки в автомобилях марки УАЗ отлично помогут в процессе прохождения сложных маршрутов по пересеченной местности. Они могут в несколько раз увеличить проходимость вашего автомобиля, и даже вытащить его из грязи, реки или же болота. Именно поэтому данный элемент будет незаменим для самых заядлых рыбаков или охотников. В нашем интернет-магазине представлен широкий ассортимент лебедок, запасных частей для них, а также тросов и кронштейнов.

Какими могут быть лебедки?

Существует всего два вида лебедок – электрические и ручные. Автомобили марки УАЗ довольно тяжелые, поэтому в экстремальных условиях больше подойдет электрическая модель, так как она справляется с любой задачей практически без вмешательства человека. В основном такие лебедки состоят из нескольких элементов: привода, управляющего блока, редуктора понижения, троса и тормозного механизма. А для того чтобы она работала, необходимо подать ток напряжением в 12 В. Этот показатель выдает самый простой автомобильный аккумулятор, подключение осуществляется напрямую с помощью силовых кабелей. Есть модели, рассчитанные как на небольшие, так и на экстремальные нагрузки и регулярную эксплуатацию.

Что такое кронштейн и зачем он нужен?

Для обеспечения надежной и безопасной эксплуатации лебедок на автомобилях марки УАЗ, нужно также рассмотреть вариант установки кронштейна. Кузов каждой машины имеет собственные отличительные особенности. Именно по этой причине при выборе таких креплений нужно основываться на данных характеристиках. Есть также кронштейны, которые могут не подойти для установки в определенных автомобилях, а некоторые модели могут закрепляться несколько иначе, чем прочие.

Самым оптимальным вариантом в подобной ситуации является совместное использование лебедки и усиленного бампера. Он отличается повышенной надежностью и прочностью, крепление осуществляется в передней части кузова. За счет этого он защищает автомобиль от возникновения дефектов при столкновениях и позволяет установить дополнительные осветительные приборы.

Кронштейн для закрепления лебедки можно установить без усиления защиты. Для этого необходимо лишь отсоединить передний бампер и смонтировать детали на корпус машины. Кронштейны подразделяются на съемные и стационарные. При установке съемного варианта необходимо освободить дополнительное пространство, на котором закрепится основная часть конструкции изделия.

Отключение шума | Колледж изящных искусств

Новый документальный фильм «Composed» исследует беспокойство по поводу выступления —
Показ 7 декабря ^-е в 18:30 в зале Jacob Sleeper Auditorium

Бостон, Массачусетс Колледж изящных искусств (CFA) при Бостонском университете (BU) рад представить Film Screening: Composed , новый художественный и документальный фильм, режиссер и продюсер Джон Бедер (CFA’08). Показ состоится , среда, 7 декабря, ^, , 18:30, в зале Jacob Sleeper Auditorium.

Показ фильма: сочиненный

Документальный фильм для каждого музыканта | Режиссер выпускник BU Джон Бедер

Среда, 7 декабря, 18:30

Затем последовали вопросы и ответы: Джон Бедер (CFA’08), перкуссионист из школы музыки, директор и продюсер Composed; Джеральд Кликштейн, Консерватория Пибоди, автор книги Путь музыканта; и Тонья Смит, соавтор Стратегий борьбы с тревогой.

Jacob Sleeper Auditorium (871 Commonwealth Avenue)

Бесплатно и открыто для публики

Для получения дополнительных сведений посетите ComposedDocumentary.com.

Бедер, кинорежиссер, является выпускником BU, где изучал ударные и кино. 78-минутный документальный фильм Composed приглашает музыкантов и экспертов в области психического здоровья из США и Соединенного Королевства, в том числе членов крупной группы U. S. оркестры, такие как Нью-Йоркский филармонический, Кливлендский, Оркестр, Филадельфийский оркестр и Лос-Анджелесский филармонический оркестр, среди других, чтобы изучить проблему беспокойства по поводу выступления — что это такое, почему это происходит и что мы можем сделать, чтобы решить эту проблему. Музыканты в фильме делятся откровенными историями и видят причины этих страхов и сомнений, а также размышляют о том, как они работали, чтобы преодолеть эти страхи и избавиться от шума.

BU подготовила невероятно успешных исполнителей, при этом понимая, что всегда есть куда расти.Благодаря активному диалогу с CFA и значительному подарку от попечителей Бостонского университета, BU стал первым образовательным спонсором документального фильма Бедера. Это спонсорство демонстрирует приверженность BU обучению как здоровых, так и успешных музыкантов.

BU присоединяется к ICSOM (Международная конференция симфонических и оперных музыкантов) в спонсорстве Composed.

Отправлено: 4 года назад в Вторник, 6 декабря 2016 г. · Постоянная ссылка

Настройка

| Инженерный колледж

в BME Spotlight Faculty, ENG Spotlight Faculty, NEWS, Spotlight Faculty

Барбара Шинн-Каннингем пытается найти и исправить скрытую потерю слуха

Крис Бердик, BU Research

Музыка для Барбары Шинн-Каннингем — одновременно страсть и научная загадка.Профессор биомедицинской инженерии в Инженерном колледже BU, она играет на гобое и английском валторне в оркестре Concord и изучает, как наш мозг расшифровывает перекрывающиеся звуки. Фото Джейка Белчера.

Прохладным майским вечером звуки настраивающего оркестра наполняют концертный зал в Конкорде, штат Массачусетс, и выливаются на тихие улочки бистро с резными деревянными вывесками и причудливыми магазинами, торгующими антиквариатом, прекрасным вином и кустарными изделиями. сыр.

До того, как весь оркестр соберется на сцене — в историческом, переоборудованном амбаре с фонарями, прикрепленными к его стропилам, — неподготовленный слух все еще может извлечь определенные инструменты из музыкального беспорядка.Но по мере приближения официального начала репетиции растущие ряды музыкантов производят более громкую и менее разборчивую какофонию. Наконец, дирижер подходит к своему столбу и поднимает руку, показывая: «Тихо, пожалуйста!»

Среди музыкантов, ожидающих в наступившей внезапной тишине, есть Барбара Шинн-Каннингем, профессор биомедицинской инженерии в Инженерном колледже Бостонского университета (ENG). Рядом с ней стоит гобой и валторна (представьте себе гобой-переросток), которые она сыграет сегодня вечером во время репетиции «Pops» оркестра Concord.

Музыка — не хобби для Шинн-Каннингем. Задолго до того, как стать ученым, она была музыкантом. Она переключилась с фортепиано на гобой, а затем добавила валторну в младших классах. В течение короткого периода в старшей школе она рассматривала возможность заниматься музыкой в ​​качестве профессионала, но ей слишком нравились наука и математика, чтобы довести до конца. Когда она выбрала направление исследований в аспирантуре, ее глубокая любовь к музыке привела ее к изучению нейробиологии слуха.

В течение почти трех десятилетий Шинн-Каннингем изучал, как наш мозг распознает звук.Исследования ее лаборатории простираются от точных алгоритмов обработки слуховых сигналов до черных ящиков познания и того, как смещение внимания меняет то, как наш мозг разбирается в повседневной смеси звуков, с которыми мы сталкиваемся.

Недавно она и ее коллеги сосредоточились на скрытой потере слуха — проблеме, с которой многие люди с «нормальным» слухом сталкиваются с расшифровкой конкурирующих, накладывающихся друг на друга звуков, таких как разговор в переполненной комнате. Скрытая потеря слуха встречается у людей любого возраста, но чаще встречается у пожилых людей.Действительно, старение бэби-бумеров вызвало большой интерес к скрытой потере слуха среди исследователей, которые начали ее изучать в последнее десятилетие. Шинн-Каннингем называет скрытую потерю слуха «самым важным открытием в исследованиях слуха, которое я видел в своей карьере».

В конце концов, она и ее сотрудники лаборатории надеются изобрести новый вид слухового аппарата, который поможет решить эту неприятную проблему. Сочетание когнитивной психологии, нейробиологии и инженерии для диагностики и лечения скрытой потери слуха создает амбициозную повестку дня, требующую огромной энергии, огромного любопытства и склонности к сотрудничеству.Те, кто знает Шинн-Каннингем, говорят, что она идеально подходит для этой работы.

Музыка соответствует математике

Шинн-Каннингем училась в Университете Брауна по специальности «Электротехника и математика». В колледже она познакомилась с Робом Каннингемом, другим студентом-инженером и ведущим ассистентом преподавателя курса схемотехники, который они оба прошли.

«Я набирал других помощников учителя и обратился к Барб», — говорит Каннингем. «Она мне отказала».

Но потом он пригласил ее на свидание, и она согласилась.Они поженились через год после выпуска, а через несколько лет у них родилось двое сыновей: Ник, которому сейчас 21 год, и Уилл, 19 лет.

Когда Шинн-Каннингем поступила в аспирантуру Массачусетского технологического института, она мечтала заняться проектированием компьютеров. Однако там она встретила инженеров, изучающих слуховое восприятие. Для нее было откровением обнаружить, что что-то вроде музыки, которое она любила и с которым была связана на эмоциональном уровне, также можно понять с математической точки зрения инженера.

«Я никогда не думала о звуке как о информации, которую можно изучать количественно», — говорит она.«Как звук физически попадает в голову и как мозг воспринимает всю эту информацию, которая в конечном итоге приводит к этим глубоким эмоциональным реакциям?»

Начиная с вибрирующей барабанной перепонки и быстро переходя примерно к 30 000 нервных волокон во внутреннем ухе, каждый звук, который вы слышите, разделяется по частоте, а затем анализируется и собирается вашим мозгом. Даже когда конкурирующие звуки — голос собеседника, уличное движение, щебетание птиц — разделяют частоты, ваш мозг каким-то образом разделяет их.

«Как именно он это делает, до сих пор остается большой загадкой», — говорит Шинн-Каннингем.

В текущих тестах слуха не учитывается обычная трудность людей — следить за разговорами в шумной обстановке. Шинн-Каннингем работает над диагностикой и лечением этой «скрытой потери слуха», от которой страдают до 15 процентов американцев с нормальным слухом. Фото Джеки Риккарди

Эффект коктейльной вечеринки

«Мое раннее впечатление о Барбе очень согласуется с моим более поздним впечатлением.Она была очень умна и обладала своего рода позитивной энергией », — говорит Стив Колберн, профессор биомедицинской инженерии и исследователь слуха в Англии. Колберн входил в комитет, который рассматривал магистерскую диссертацию Шинн-Каннингем в Массачусетском технологическом институте. «Она всегда, казалось, имела более широкую точку зрения, чем многие люди».

В частности, инженерный подход к слуху строит точные математические модели того, как обрабатывается звуковой сигнал, нейрон за нейроном. Кстати, именно этим и занимается Колберн.Как бы Шинн-Каннингем ни радовалась исследованию этой перспективы, она также стремилась исследовать гораздо более мрачную, нисходящую роль познания.

«Мозг имеет обратную связь от коры до ствола мозга», — объясняет она. Короче говоря, слуховое восприятие — это не улица с односторонним движением. Активность мозга высшего порядка — особенно внимание — изменяет способ обработки звуковых сигналов в мозгу на всех уровнях.

Сила внимания на слух была классно продемонстрирована в 1950-х годах британским ученым-когнитивистом Колином Черри.В серии экспериментов Черри просила испытуемых повторить одно из двух речевых сообщений, воспроизводимых одновременно через наушники. У людей возникали проблемы с этой задачей, когда оба сообщения (произносимые одним и тем же голосом) можно было услышать обоими ушами.

Напротив, у слушателей не возникало проблем, когда одно сообщение было направлено в каждое ухо, потому что они могли направить свое внимание на то или иное ухо. Обратной стороной этой способности было то, что почти ничего не было зафиксировано в сообщении в оставленном без присмотра ухе — большинство людей не могли вспомнить ни одной фразы из «отклоненного» сообщения или заметить, когда оно включало их имя, переключилось с английского на немецкий или воспроизводился в обратном направлении.

Результаты Черри стали известны как «эффект коктейльной вечеринки», вызывающий перекрывающуюся болтовню переполненной вечеринки или бара, в которой мы должны настраиваться на одного выступающего за другим или рискуем пропустить большие фрагменты разговора.

Эффект коктейльной вечеринки является центральным элементом исследовательской программы Shinn-Cunningham, потому что именно в этом взаимодействии между вниманием и слухом проявляется скрытая потеря слуха. Она и ее команда из лаборатории ломают голову над тем, что происходит в нашем мозгу во время таких сложных задач прослушивания, или, точнее говоря, какая часть этой нейронной схемы выходит из строя у 5-15 процентов американцев, у которых есть «нормальный» слух, но все же рассказать врачам, что у них проблемы в людных и шумных общественных местах?

Текущие проверки слуха не могут измерить эту распространенную проблему.Это потому, что эти тесты основаны только на восходящей способности нашего мозга обнаруживать тона разных частот. Это будет похоже на то, как если бы ваш глазной врач просто спросил, можете ли вы увидеть что-нибудь на каждой строке глазной карты, вместо того, чтобы убедиться, что вы видите буквы достаточно четко и надежно, чтобы различить их.

Хотя исследования зрения давно включают познание — обучение, память и внимание имеют прямое отношение к тому, что мы видим, а что — нет, — исследованиями слуха занимались инженеры.

«Инженеры любят объяснения, которые можно выразить уравнениями. А когнитивная психология — это больше прямоугольников и стрелок — эта штука проникает в эту штуку, которая каким-то образом ее меняет », — говорит Фредерик Галлун, нейробиолог и исследователь слуха из Медицинского центра VA в Портленде, штат Орегон, который работал с Шинном. -Каннингем в качестве постдока с 2003 по 2006 год.

«Меня всегда впечатляла способность Барб сочетать эти два подхода», — говорит он. «Она очень хороший инженер, но если она не может сказать, каковы математические отношения, тогда она может видеть, что когнитивные способности вовлечены и должны быть учтены, если мы собираемся решить проблему.”

Жизнь имеет значение

Шинн-Каннингем наполняет свои дни предложениями о грантах, перепиской с сотрудниками и встречами с аспирантами и докторантами, которые она наблюдает в лаборатории, которая теперь сожрала три этажа Центра вычислительной нейробиологии и нейронных технологий BU.

Огромная доска в центре ее офиса испещрена забавными, небрежными замечаниями, сделанными во время лабораторных встреч — я начал думать только полчаса назад; Сначала это было типа «ну да!» но теперь фактор духа снижен.”

Когда сотрудники лаборатории переходят к другим занятиям, они поддерживают связь с помощью электронной почты, открыток, фотографий свадеб и новорожденных.

«Барб любит узнавать вас поближе», — говорит Адриан К.С. Ли, который работал с Шинн-Каннингем около десяти лет назад во время учебы в аспирантуре Гарвардской программы медицинских наук и технологий.

Когда испытуемые слушают меняющиеся звуковые паттерны, нейронная сеть, подобная изображенной выше, использует множество электродов для записи измерений мозговой активности в реальном времени.Фото Сидни Скотта

«Я был очень организован. У меня были готовы все пункты списка для наших встреч. Но мы справимся только с одним, а она просто захочет поговорить о жизни в целом, — говорит Ли, ныне доцент кафедры речи и слуха Вашингтонского университета. «Это раньше меня расстраивало. Но я обнаружил, что делаю то же самое со своими стажерами. Теперь я понимаю, что дело не только в работе. Жизнь имеет значение. Барб действительно хорошо продвигал этот баланс ».

Другой бывший сотрудник лаборатории, Вирджиния Бест, добавляет: «Она думает быстрее всех, кого я знаю.Она всегда на шаг впереди вас. Она известна тем, что заканчивает человеческие предложения.

Предположительно, муж Шинн-Каннингем настолько часто становится жертвой завершения предложений, что часто меняет то, что он собирался сказать, просто чтобы последнее слово осталось за ним. Он отрицает, что это правда, но Шинн-Каннингем с ухмылкой подтверждает эту историю.

«Я поступаю так со всеми. Я пытаюсь объяснить, что это сочувствие. Я не чувствую нетерпения. Я полон энтузиазма », — говорит она. «Но я думаю, что эти вещи настолько взаимосвязаны, что людям, вероятно, трудно оценить тонкое различие.”

Коллеги Шинн-Каннингем действительно ценят ее энтузиазм, а сотрудники хвалят ее за то, что она была непревзойденным командным игроком.

Одним из недавних сотрудников является Хелен Тагер-Флусберг, профессор психологии из колледжа искусств и наук штата Нью-Йорк, изучающая детей с аутизмом, которые редко или никогда не разговаривают. Тагер-Флусберг говорит, что Шинн-Каннингем пришлось изменить свои эксперименты для детей, которые не могут легко общаться и испытывают проблемы с выполнением задания или даже сидением на месте дольше нескольких минут за раз.

«Барб придумала, как адаптировать то, что она делает, к потребностям детей, которых мы изучаем», — говорит она. «В то же время она никогда не шла на компромисс в отношении качества данных».

«Мы живем в действительно шумном мире»

Во время осмотра своей лаборатории Шинн-Каннингем держит в руках нейронную сеть из 128 крошечных электродов, которые плотно прилегают к головам испытуемых, когда они слушают звуки или слова через наушники в звукоизолированной комнате.

Известная как ЭЭГ (электроэнцефалограмма), нейронная сеть отслеживает активность мозга как в корковых, так и в подкорковых областях, когда обрабатываемые звуки изменяются или заглушаются.Эти данные позволяют исследователям в реальном времени глобально взглянуть на слуховой мозг, но Шинн-Каннингем быстро указывает на его пределы.

«Мы можем выделить эти сильные реакции на различные звуки [с помощью ЭЭГ], — говорит она, — но мы знаем, что измеряемые нами части мозга изменяются вниманием, и мы не можем видеть эти эффекты с поверхности кожи головы». . »

Другими словами, данные ЭЭГ не могут точно показать, что происходит внутри мозга. Тем не менее, большая часть исследований здесь посвящена поиску способов использования ответов ЭЭГ во время простых слуховых задач для надежной диагностики скрытой потери слуха.

Команда лаборатории также изучает факторы, вызывающие нарушение слуха. Возраст, казалось бы, очевиден, но данные говорят не так быстро. Несколько лет назад, когда 51-летняя Шинн-Каннингем заметила, что у нее растут трудности с эффектом коктейльной вечеринки, она предложила одной из ее аспирантов, Дореа Рагглс, провести сравнительное исследование молодых людей (в возрасте от 18 до 34 лет в исследовании). ) и людей среднего возраста (от 35 до 55 лет) с нормальным слухом.

Рагглз, который сейчас работает докторантом в Университете Миннесоты, обнаружил небольшое увеличение скрытой потери слуха среди пожилых участников исследования в целом.Но этот эффект затмевается изменчивостью среди молодых людей — некоторые из них не проявляют признаков скрытой потери слуха, в то время как другие сильно страдают от нее. Почему?

«Мы живем в действительно шумном мире», — говорит Шинн-Каннингем. Генетика, вероятно, играет роль в том, что люди становятся более или менее восприимчивыми к скрытой потере слуха, но она подозревает, что шумный образ жизни является ключевым фактором.

«На самом деле мы не можем проверить, сколько шума подвергалось людям за всю жизнь», — признает она. «Но когда мы проводим эти тесты, мы задаем испытуемым такие вопросы, как: Вы много косите газон? Вы любите громкую музыку? А люди, подвергающиеся наибольшему шуму, как правило, худшие слушатели.”

Наконец, лаборатория работает над инновационными слуховыми аппаратами, которые могут облегчить скрытую потерю слуха. Многие существующие слуховые аппараты действительно могут ухудшить ситуацию в людных и шумных социальных ситуациях, потому что они просто делают все громче, создавая большое размытие шума. Это инженерный подход к проблеме, требующий большего.

Хотя «направленные слуховые аппараты» могут быть более избирательными, усиливая только то, на что они нацелены, Шинн-Каннингем говорит, что они вряд ли помогут во многих социальных ситуациях, в которых разговоры быстро переходят от говорящего к говорящему.

Лаборатория

Шинн-Каннингем хочет специально нацелить на скрытую потерю слуха — создать устройство для людей, у которых в настоящее время нет слухового аппарата, или у которых диагностировано нарушение слуха, просто доставляет много проблем и затруднений в шумной обстановке.

«Если мы поймем, чего не хватает в сигнале, который поступает в мозг человека со скрытой потерей слуха, то, возможно, мы сможем решить эту проблему напрямую», — говорит она.

Шинн-Каннингем не вдавалась в подробности, ссылаясь на проблемы интеллектуальной собственности, но в 2015 году она и Шэрон Куджава, доцент кафедры отоларингологии Гарвардской медицинской школы, получили 100000 долларов в виде финансирования трансляционных исследований для разработки именно такого устройства.

Шинн-Каннингем совещается со своим руководителем лаборатории Леонардом Варгезе в одной из трех лабораторий, которые работает ее исследовательская группа в Центре вычислительной нейробиологии и нейронных технологий BU. Ее цель — создать более умный слуховой аппарат, который не только делает все громче, но и помогает слушателям распутывать голоса в многолюдных и шумных разговорах. Фото Джеки Риккарди

Прыжок обеими ногами

«Одна из замечательных особенностей музыки — это искусственный эффект коктейльной вечеринки.Музыканты пытаются слиться воедино и обмануть вас, заставляя думать, что они одно, — говорит Шинн-Каннингем.

«За раз можно сосредоточиться только на одной мелодии, и композиторы это знают», — говорит она. «Музыка будет звучать, и флейтист начинает держать ноту, и в этот момент вы внезапно слышите другую мелодию, которая звучит все время».

В отличие от тех из нас, кто из публики может потеряться в музыке, музыканты сами должны отслеживать отдельные «голоса» композиции, чтобы не потерять свои места.

На репетиции оркестра в Конкорде дирижер каждые несколько минут останавливает музыкантов с наставлениями и инструкциями, постоянно настраивая микс, чтобы привлечь внимание слушателей к нужным звукам в нужное время.

«Вы опоздали. Ты опоздал. Ты опоздал! Ты опоздал на целый бар! » он говорит. А потом: «Нам нужно меньше струнных, больше арфы и немного больше глокеншпиля».

Они продержатся так почти три часа, и Шинн-Каннингем в своей стихии.Несмотря на все, что она вписывается в свою жизнь, она ни в чем не занимается. Этот подход отразился на более молодых ученых, с которыми она работала на протяжении многих лет.

«Когда бы ни представилась возможность, я всегда спрашиваю, что бы сделала Барб?» — говорит Галлун. «Обычно ответ -« прыгай обеими ногами »».

Эта история впервые появилась в BU Research.

Настройка

Опубликовано 4 года назад
Вторник, 11 октября 2016 г.
в BME Spotlight Faculty, ENG Spotlight Faculty, NEWS, Spotlight Faculty

Drop B Tuning для гитары | How to Tune to Drop B

Узнайте, как настроить свою гитару на drop B и начать играть свои любимые песни в режиме drop B.

Игра с настройкой drop B на вашей гитаре — отличный способ значительно снизить диапазон вашего инструмента. Подобно популярной настройке drop D, drop B требует, чтобы вы настраивались ниже, что придает гитаре более темный и тяжелый звук. В этом уроке мы покажем вам, как настроить «drop B», и дадим вам несколько песен для практики в этой новой настройке. Хватай гитару и приступим!

Урок: Как опустить B Настройте гитару

Вы найдете настройку drop B в хэви-металле и других музыкальных жанрах хард-рока.Фактически, гитарист, который первым привлек внимание слушателей к настройке drop B, — это Виктор Гриффин из дум-метал группы Pentagram. Однако вам не обязательно иметь его опыт игры на гитаре, чтобы получить мощный звук из этой настройки. Настройку Drop B довольно легко освоить, и она дает вам возможность играть пауэр-аккорды одним пальцем, открывая новый нижний диапазон на гитаре.

Что такое настройка Drop B?

Настройка

Drop B требует, чтобы вы настроились вниз или «понизили» вашу нижнюю струну E на два с половиной шага до B.Однако у этой настройки есть два варианта. В одной версии вы опускаете только шестую струну, оставляя остальные струны в стандартной настройке.

В этом уроке мы сосредоточимся на другой, более распространенной версии drop B. В этой версии вы настроите все шесть струн на более низкий уровень.

Когда вы впервые попробуете эту настройку, вы можете услышать некоторое жужжание, потому что ваши струны будут слабее, чем обычно. Если вы серьезно относитесь к этой настройке, возможно, вы захотите приобрести более тяжелые струны или настроить гитару в drop B мастером.

Однако вам не нужно тратить ни цента, чтобы добиться хорошего звука от этой настройки. Вы по-прежнему можете использовать легкие струны и избежать жужжания в звуке, слегка играя на гитаре.

В качестве напоминания, вот ноты стандартной настройки, начиная с самой нижней струны:
— E
— A
— D
— G
— B
— E

При настройке drop B ваша самая нижняя струна будет настроена на два с половиной шага до B. Все остальные струны будут настроены на полторы шага.
— B
— Gb
— B
— E
— Ab
— Db

Теперь, когда вы знаете ноты струнных при настройке капли B, вы готовы к настройке. Вот как настроить гитару на букву B:
Начните с защипывания вашей нижней струны ми.
Настройте его на два с половиной шага на B, повернув колышек на себя.
Продолжайте дергать струну, пока не дойдете до правильной ноты. Возможно, вы захотите спуститься немного ниже ноты, на которую вы нацеливаетесь, а затем настроиться на нее.Эта техника помогает дольше держать ваш инструмент в настроении, добавляя натяжение расстроенной струны.
— Профессиональный совет: вы можете использовать гитарный тюнер Fender Online, чтобы настроить гитару на правильную ноту. Используйте либо онлайн-тюнер для электрогитары, либо онлайн-тюнер для акустической гитары. Или скачайте приложение на свой телефон. И веб-версия, и версия приложения дают вам возможность настраивать свои параметры и настраивать специально для удаления B и других альтернативных настроек.

Зачем изучать настройку Drop B?

Настройка гитары на понижение B снижает диапазон гитары на два с половиной шага, придавая инструменту более тяжелый и темный звук.Вы также можете гудеть на низкой струне си для получения тяжелого, грязного эффекта. Этот низкий диапазон также может пригодиться, если вы аккомпанируете певцу с низким диапазоном. Drop B также упрощает воспроизведение пауэр-аккордов.

Чтобы сыграть пауэр-аккорд в стандартной настройке, вы обычно используете два или три пальца на грифе. В drop B вы можете сыграть пауэр-аккорд, зажав одним пальцем три нижние струны вашей гитары, например:

Песни, в которых используется настройка Drop B

Нет недостатка в отличных тяжелых песнях, в которых используется настройка drop B.Вот пара песен, которые вы можете выучить, чтобы начать играть в drop B.

«Duality» от Slipknot опирается на открытую шестую струну для ее драйвового, жесткого звука. Прислушайтесь к настройке drop B как для первой, так и для второй гитарных партий, чтобы лучше понять, как альтернативная настройка drop B объединяет эту песню.

Затем попробуйте «Whispers in the Dark» от Skillet. В то время как в песне присутствует резкое и довольно сложное гитарное соло, начинающие гитаристы, просто экспериментирующие с настройкой drop B, могут начать с сосредоточения внимания на главном риффе песни.

Ознакомьтесь с уроками игры на гитаре Fender

Продолжайте экспериментировать со звуками, которые вы можете создать с помощью этой тяжелой настройки. Чем больше вы тренируетесь, тем лучше будет ваша игра! Практикуя настройку drop B, а также другие альтернативные настройки, вы станете всесторонним гитаристом, способным к широкому диапазону стилей, тембров и жанров игры. Узнайте больше с бесплатной пробной версией Fender Play.

A Primer по использованию инструмента Drop B Tuning — Soundfly

Фото любезно предоставлено Tool Archives.

Настройка Drop B состоит в основном из , двух различных вариаций , каждая из которых почти полностью использовалась в пост-гранж-роке начала 90-х. Гитаристу Pentagram Виктору Гриффину приписывают изобретение настройки, и он подчеркивает, что настройка звучит великолепно, когда играет «осторожно», а не «сильно». Но сегодня мы собираемся представить эту альтернативную настройку гитары с помощью одной из самых тяжелых групп, Tool !

Во-первых, давайте начнем с полной настройки «Drop 1» B, с которой можно работать так же, как и с Drop D.От самой нижней до самой высокой струны (слева направо) гитара настроена на: это, по сути, строй Drop D, пониженный на три полутона (или эквивалент второстепенного третьего интервала). В этой форме с настройкой Drop B можно обращаться точно так же, как с Drop D, оба из которых обычно используются рок-группами для более низких нот и более плотного звука. Группы, которые использовали настройку Drop B, в частности, включают Three Days Grace, Disturbed, Halestorm, Linkin Park, Sevendust и множество других рок-групп в стиле ню-метал и пост-гранж.К сожалению, эта форма настройки не сильно отличается от знакомой Drop D.

.

Тем не менее, наша вторая форма обрабатывает Drop B как модифицированную стандартную настройку, отбрасывая B, а затем оставляя остальные струны (в основном) такими же. Есть две формы:

Два лучших примера этих строев взяты из гитарных треков, написанных гитаристом Tool (и продюсером музыкального видео) Адамом Джонсом, который использовал первую версию в песне Prison Sex с Undertow, и вторую на «Parabola». выкл Lateralus .Я хочу уделить время обоим настройкам Drop B.

Мы рассмотрим свойства и теоретические последствия обоих, чтобы увидеть, что каждая версия Drop B открывает для нас творчески.

+ Узнайте больше о Soundfly: откройте для себя все новые гитарные звуки из нашей бесплатной серии небольших курсов Alternate Tunings для Creative Guitarist .

Теоретические последствия настройки

B — A — D — G — B — E

Наиболее значительным изменением, которое произошло с настройкой B — A — D — G — B — E , является то, как мы поступаем с пауэр-аккордами.В традиционных стандартных и дроп-строй наиболее распространенных аранжировках пауэр-аккордов почти исключительно используется пятый интервал. Таким образом, у вас будет основной тон и пятая часть этого основного тона, играемые на шестой и пятой струнах, учитывая наиболее мощную композицию аккордов.

Давайте послушаем настройку в контексте вырезки Tool 1993 года «Prison Sex».

Что делает строй, использованный в «Prison Sex», таким уникальным, так это то, что квинта больше не является самой удобной формой пауэр-аккорда для игры.Вместо этого мы с большей вероятностью будем использовать мажорную секунду или октаву, о чем свидетельствуют следующие обозначения.

(Если вам нужна помощь с обозначениями выше, освежите свои навыки чтения с помощью нашего быстрого бесплатного курса Как читать музыку .)

Если мы рассмотрим ноты в обоих аккордах, мы увидим, что первый такт содержит рею на шестой струне на третьем ладу и еще один ре (на октаву выше) на пятой струне на пятом ладу.

Адам Джонс играет пауэр-аккорды в припеве «Prison Sex», используя следующую последовательность:

В результате получается гораздо более глубокий и полнее звучащий пауэр-аккорд, который сохраняет значительную часть содержания, учитывая, что квинта с самого начала дает минимальное количество гармонической информации.Замена пятой ноты на одну октаву выше основного тона не меняет свойств аккорда в достаточной степени, чтобы изменить способ построения прогрессии.

Более того, мы все еще можем добавить пятую, используя соответствующий интервал на пятой струне, которая будет звучать так:

В традиционном пауэр-аккорде октава обычно играется на четвертой струне, а пятая — на пятой. Этот вариант настройки Drop B переключает эти две роли, давая вам удивительно отчетливый пауэр-аккорд.

Теперь, если мы просто барбируем три самые низкие струны на одном ладу, мы получаем следующие ноты:

• Корень
• Major Second
• Малая третья

Вот как будет выглядеть вкладка с той же последовательностью аккордов, что и выше:

В результате получился минорный септаккорд свободной формы, создающий мрачный и задумчивый тон с мощной ноткой. Обе формы пауэр-аккорда отлично подходят для тяжелого тона современной рок-гитары.

+ Подробнее о Flypape r : «Как создавать мечтательные гитарные аккорды Shoegaze»

The B — E — D — G — B — E «Парабола» Настройка

В сингле Tool 2001 «Parabola» Адам Джонс опускает потенциальную струну A до до E, в дополнение к шестой струне B. Давайте послушаем разницу:

Эта версия настройки значительно ниже, чем другая, что означает, что наша традиционная «пятая» форма пауэр-аккорда фактически будет играть четвертую, а за исключением двух нижних струн, теперь будет играть квинту, согласно следующей записи:

Идеальный пятый пауэр-аккорд в первом такте с основным корнем D в этой настройке, а четвертый — это форма, сыгранная во втором такте с тем же основным корнем D и ля пятой струны.

В «Параболе» Джонс использует пауэр-аккорды с четвертым интервалом, проходя через следующую последовательность:

Как и пятый, четвертый интервал в этом аккорде дает мало гармонической информации. Однако, когда дело доходит до пауэр-аккордов, возможность заменить пятую часть другой нотой дает очень необходимое разнообразие.

Это тонкое изменение — то, что мне так нравится при воспроизведении строчки Drop B двумя способами, которые, как мы видели, использовал Джонс.Он принимает обыденную и знакомую форму, мощный аккорд садового разнообразия, и меняет свои цвета. Новые формы по-прежнему имеют тот же толчок и тяжесть, которые вы ожидаете от увеличения мощности в группе, подобной Tool, но есть уникальность и новизна, которая тянет ухо в несколько ином направлении.

Для тех, кто зарабатывает на жизнь рок-жанром, это отличный тюнинг, чтобы держать его в заднем кармане.

—
Этот пост был написан Guitar Chalk, обширным онлайн-ресурсом для гитаристов всех мастей и одним из редакторов Guitar World.Вы можете написать ему в Twitter или написать ему электронное письмо, чтобы связаться с ним.

Теги:
Адам Джонс, альтернативные строчки, drop b, drop d, гитара, гитарные табы, гитарная техника, мажор, минор, парабола, инструмент

Приглашенные писатели

Soundfly приветствует новые голоса каждый месяц, чтобы предлагать уникальные перспективы, проливать свет на неожиданные музыкальные миры и помогать нашим читателям найти их звучание.

Улучшенный транспорт в транзисторе за счет настройки электронных состояний оксидов переходных металлов, сопряженных с алмазом

ВВЕДЕНИЕ

Растущие потребности в электронных устройствах с более высокими характеристиками по мощности, частоте, энергоэффективности и более низкому форм-фактору приводят к необходимости поиска альтернативы. функционализация новых полупроводников с более желательными внутренними свойствами.В некоторых недавно обнаруженных полупроводниках более эффективные и упрощенные методы легирования, такие как легирование с переносом заряда, становятся преобладающими ( 1 ). Легирование с переносом поверхности (STD) было применено сначала ( 2 , 3 ) в попытке раскрыть неожиданную поверхностную проводимость p-типа внутреннего алмаза. С тех пор она быстро стала широко используемой схемой для высокоэффективного легирования полупроводников ( 4 — 9 ).

STD возникает, когда электроны из валентной зоны алмаза переходят в незанятые состояния поверхностного акцептора, адсорбированного на поверхности, что приводит к образованию подповерхностного двумерного дырочного газа (2DHG) ( 3 , 9 ).Алмаз, рассматриваемый как полупроводниковый материал следующего поколения из-за его выдающихся физических, тепловых и электронных свойств ( 10 ), обладает свойством отрицательного сродства к электрону, связанным с его водородно-терминированной поверхностью (алмаз: H), что способствует STD ( 11 — 13 ). Полученный канал 2DHG может быть использован для реализации электронных устройств на основе алмаза. С целью повышения стабильности и проводимости 2DHG в последнее время были предприняты огромные усилия по исследованию новых поверхностных акцепторных материалов.

STD на алмазе: H впервые был продемонстрирован с использованием молекулярно-подобных поверхностных акцепторов с высоким сродством к электрону ( 14 — 17 ). Однако этот подход страдает нестабильностью к температуре и потерей проводимости при нагревании ( 18 ). Альтернативно, повышение стабильности было предпринято за счет покрытия защитными толстыми оксидными слоями ( 19 — 21 ). Однако эти подходы по своей сути ограничивают конструкцию устройства и гибкость процесса и препятствуют созданию высокопроизводительной интегрированной электроники.

Оксиды переходных металлов (TMO), например, MoO ₃ , V ₂ O ₅ , WO ₃ и ReO ₃ , вызывают значительный интерес к зарядообменным комплексам из-за их большое сродство к электрону. TMO являются наиболее привлекательными кандидатами для STD 2D-материалов ( 22 — 25 ) и комплексов, таких как алмаз: H ( 26 — 29 ). Термическое испарение поверхностного акцептора TMO (MoO ₃ и WO ₃ ) на поверхности алмаза: H дало рекордную концентрацию носителей (2.52 × 10 ¹⁴ см ⁻² ) ( 27 , 29 ) с высокой термостойкостью (до 450 ° C для ReO ₃ ) ( 29 ). Однако электрические свойства TMO оказались уязвимыми для процесса изготовления полевых транзисторов (FET) в основном из-за ухудшения стехиометрии оксида ( 30 ). Например, от исходного алмаза: слоистой структуры H / MoO ₃ STD к соответствующему алмазу: H / MoO ₃ FET концентрация носителей ( 31 ) уменьшилась примерно на два порядка, с 2 × 10 ¹⁴ см ⁻² до 4 × 10 ¹² см ⁻² , а подвижность носителя также уменьшилась с 50 до 30 см ² / В ∙ с ( 16 ).Таким образом, стабильность, эффективность и надежность поверхностных акцепторов в STD остаются первостепенной стратегической ценностью для раскрытия потенциала двумерных микроэлектронных устройств на основе алмаза, а также аналогичных полупроводников.

Здесь мы разрабатываем новый подход к синтезу гладкого, однородного и ультрастабильного тонкого поверхностного акцепторного слоя TMO с настраиваемыми электронными свойствами, обеспечивающего превосходное двухмерное электростатическое соответствие на интерфейсе алмаз: H / TMO для улучшения характеристик полевого транзистора.Предлагаемая здесь концепция направлена ​​на использование преимущества возможности настройки электронной структуры TMO (в частности, работы выхода) путем включения водородных связей in situ во время осаждения атомных слоев (ALD). В оптимизированных условиях этот поверхностный акцептор гидрированного TMO (H _y TMO) демонстрирует высокую устойчивость к типичному жесткому процессу изготовления транзисторов и предлагает желаемое выравнивание электронного уровня энергии с каналом 2DHG. В нашем исследовании отслеживается изменение свойств поверхности TMO H _y TMO и негидрированного эталонного TMO в различных условиях, типичных для изготовления транзисторов.Мы также изучаем изменение эффективности электронного переноса в алмазе: H / TMO и алмаз: H / H _y TMO интерфейсы до и после изготовления полевого транзистора.

Подготовка пленки осуществляется посредством ALD. Во-первых, мы адаптировали процесс, чтобы сохранить водородный разрыв на поверхности алмаза. Во-вторых, новый поверхностный акцептор TMO с модифицированной стехиометрией / гидрированием in situ (в нашем случае MoO ₃ ) был нанесен методом ALD с использованием источника водорода. Это заменяет прежние дорогостоящие методы выращивания ( 32 — 34 ), включая помощь в катализе с использованием благородных металлов, таких как Pt и Pd ( 35 — 38 ) или облучения лазером KrF ( 39 ).H _y MoO _{3- x} , синтезированный таким образом, демонстрирует превосходную гладкость поверхности и качество однородности, демонстрирует устойчивую стехиометрию в экстремальных условиях отжига и имеет состояния запрещенной зоны, которые позволяют превосходно согласовывать электронную структуру с подповерхностным алмазом 2DHG. Полученный алмаз: H / H _y MoO _{3- x} интерфейсная структурированная система демонстрирует выдающиеся выходные характеристики транзистора, пониженное сопротивление доступа и улучшенный межфазный транспорт 2D-отверстий.

РЕЗУЛЬТАТЫ

Структура и стабильность MoO

₃ по сравнению с H _y MoO _{3- x}

Обычно электронные свойства TMO очень чувствительны к дефектам, таким как дефицит кислорода. Это приводит к ухудшению работы выхода и нестабильности их электрических свойств. Например, MoO ₃ с преобладающей степенью окисления Mo ⁶⁺ имеет высокую работу выхода (φ = 6,8 эВ), обеспечивая высокоэффективную 2DHG на подповерхностном алмазе: H / MoO ₃ .Однако этот материал подвержен потере кислорода, что снижает его работу выхода при воздействии условий окружающей среды (5,4 эВ) ( 17 ) или, что еще хуже, во время изготовления устройства (4,4 эВ) ( 18 ). Кроме того, известно, что нанесение металлического контакта (то есть Ti / Au) вызывает восстановление катиона молибдена на расстоянии нескольких нанометров от границы раздела металл / MoO ₃ . Следовательно, работа выхода MoO ₃ и его электронная зонная структура демонстрируют зависимость от его близости к высокореактивному металлическому контакту ( 19 ).

Напротив, известно, что включение водорода в MoO ₃ увеличивает стабильность решетки и позволяет настраивать электронную структуру MoO ₃ за счет введения большой плотности щелевых состояний вблизи уровня Ферми. В то же время он предотвращает образование альтернативных щелевых состояний, связанных с восстановлением кислорода, которые закрепляют уровень Ферми на более высоком уровне по отношению к уровню вакуума, и, таким образом, помогает поддерживать высокое значение работы выхода (5,9 эВ). ( 20 ).Как следствие, гидрированный MoO ₃ (H _y MoO _{3- x} ) демонстрирует благоприятное выравнивание энергетических уровней с алмазом: H, что приводит к улучшенному переносу 2D-дырок на его границе раздела ( 20 ).

В подходе этого отчета мы впервые экспериментально демонстрируем общий, легкий и контролируемый рост MoO ₃ методом ALD, адаптированный для алмазов: поверхности с H-концевыми частями, который далее трансформируется в H _y MoO _{3− x} с использованием прекурсоров на основе водорода (рис.1, левая сторона). Принципиальная схема работы алмаза: H STD с MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} представлена ​​на рис. 1 (правая сторона). Здесь показано поперечное сечение слоев MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} STD слоев на транзисторах алмаз: H и их соответствующие структуры энергетических зон ( 20 ).

Рис. 1 Схематическая структура поверхности алмаза: H, подвергающаяся различным процессам ALD, и их результирующие электронные свойства интерфейса с алмазом: H / MoO ₃ по сравнению с алмазом: H / H _y MoO _{3- x} транзисторов.

( A ) Применение типичного процесса ALD MoO ₃ на алмазе: H, приводящее к ухудшению качества торцевой поверхности. ( B и C ) Модифицированный процесс ALD MoO ₃ и H _y MoO _{3− x} для консервации алмаза: H-окончание. Правая сторона сверху вниз: схематическая диаграмма поперечного сечения с атомистическими представлениями поверхности раздела алмаза: H / MoO ₃ (вверху) и алмаза: H / H _y MoO _{3- x} (внизу) Полевые транзисторы и их соответствующие электронные зонные энергетические структуры с различными степенями окисления.CB — зона проводимости; VB, валентная группа.

Зонная структура MoO ₃ отличается тремя степенями окисления — Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ — в зависимости от степени восстановления кислорода. Восстановление кислорода вызывает образование вакансий, которые приводят к появлению связывающих и антисвязывающих полос d-d и d-d * в запрещенной зоне, таким образом повышая уровень Ферми и уменьшая работу выхода (рис. 1, верхний набор диаграмм). Напротив, для случая H _y MoO ₃ введение атомов водорода формирует прочные ковалентные связи с мостиковыми и концевыми атомами кислорода связей Mo – O (см. Атомистическое схематическое изображение связей O – H в красно-зеленый на рис.1, внизу слева). Ковалентные связи O – H образуют межвалентные π * электронные состояния с энергиями, близкими к краю зоны проводимости ( 20 ). Кроме того, восстановление кислорода из идеальной H _y MoO ₃ стехиометрии в H _y MoO _{3- x} (рис. 1, внизу) смягчается, что предотвращает появление дополнительного кислорода. состояния вакансии dd * (как в Mo ⁴⁺ ). В результате не ожидается значительного сдвига уровня Ферми, что позволит сохранить высокую работу выхода материала.

MoO

₃ и H _y MoO _{3− x} Синтез и свойства ALD

Существующие процессы ALD для MoO ₃ ( 40 ) традиционно сопровождаются кислородной плазмой и не могут использоваться в нашем случае, поскольку он разрушает концевые связи C – H на поверхности алмаза: H — решающее условие для легирования поверхности. Было обнаружено, что другие рецепты ALD ( 41 , 42 ) с использованием прекурсоров на основе кислорода (то есть O ₃ ) в качестве первых итерационных импульсов также каким-то образом влияют на поверхность алмаз: H (рис.1А). Здесь был использован другой подход. Сначала мы проводим предварительный отжиг в вакуумной камере при температуре до 350 ° C для десорбции адсорбатов, связанных с атмосферой, с поверхности алмаза: H. Затем мы инициализируем процесс ALD с помощью импульса-предшественника на основе Mo [то есть Mo (CO) ₆ ], за которым следует импульс-предшественник дополнительного источника кислорода (то есть O ₃ ). Вакуумная камера очищается и откачивается после каждого цикла, что позволяет сохранить поверхность алмаза: H как можно более неповрежденной (рис. 1, B и C). Следует отметить наши первые испытания процесса ALD MoO ₃ , в которых мы начали с импульсов O ₃ , за которыми следовали импульсы Mo (CO) ₆ .Это привело к плохой поверхностной проводимости, скорее всего, из-за импульсов сжатых частиц O, повреждающих алмаз: завершение поверхности H [см. ( 43 )].

STD-слой MoO ₃ был нанесен методом ALD с использованием Mo (CO) ₆ и O ₃ в качестве предшественников. Для H _y MoO _{3- x} прекурсорами были C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ и H ₂ O. H ₂ O представляет собой источник гидрирования для H _y MoO _{3− x} .Были изучены различные отношения потоков прекурсоров. Подробные условия выращивания ALD описаны в дополнительных материалах. Конечные пленки MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} , выращенные методом ALD, с толщиной ~ 4 нм демонстрируют однородную поверхность, как видно с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ). АСМ-характеристика полученного алмаза в трехмерной плоскости: H / H _y MoO _{3- x} показана на рис. 2D, что указывает на среднюю шероховатость поверхности ( R _a ) 0.29 нм по площади 1 мкм × 1 мкм. R _a 0,64 нм получается на площади 10 мкм × 10 мкм, как показано на рис. S1. Аналогичные результаты были получены для алмаза: H / MoO ₃ . Кроме того, рис. S1 (A и B) показывает вид сверху и профиль в направлении z в зависимости от расстояния по оси x соответствующих поверхностей AFM, а на рис. S1 (D и E) дает разрешение топографии в наномасштабе. Измерения дифракции рентгеновских лучей (XRD) выращенного MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} выявили пики, в основном связанные с моноклинной кристаллической фазой β-MoO ₃ .Их количество и интенсивность возрастают после обработки (см. Рис. S2 и соответствующие комментарии в дополнительных материалах).

Рис.2 XPS пленок MoO ₃ и H _y MoO _{3− x} , выращенных методом ALD.

( A ) Деконволюция 3d-спектров ядра Mo для степеней окисления Mo Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ для MoO ₃ и H _y MoO _{3− x} ALD, выращенная с различными соотношениями предшественников.( B ) Деконволюция спектров остовного уровня O 1s состояний Mo – O и Mo – OH для MoO ₃ и H _y MoO _{3– x} ALD, выращенных с различным соотношением предшественников. ( C ) Зависимость степеней окисления Mo 3d и состояний O 1s для процентного содержания Mo – O и Mo – OH от отношения потоков C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ до H ₂ O. ( D ) АСМ 3D-изображение области алмаза размером 1 мкм × 1 мкм: H / H _y MoO _{3− x} (отношение входных потоков C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ согласно H ₂ O равно 6.2 для образца АСМ). A.U., условные единицы.

Стехиометрия осажденных пленок ALD MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} была оценена путем измерения спектров остовных уровней Mo 3d и O 1s с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. (XPS). Каждый спектр основных уровней был деконволюционирован, как показано на фиг. 2A для Mo 3d и на фиг. 2B для O 1s. Результаты XPS Mo 3d указывают на сосуществование Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ со степенями окисления, где Mo ⁶⁺ имеет степени окисления 3d _5/2 и 3d _{3/2. Спин-орбитальный дублет} имеет максимум при энергии связи (BE) 232.4 эВ (с расщеплением BE 3,2 эВ), пики дублета Mo ⁵⁺ при 231,6 эВ и пики Mo ⁴⁺ при 229,1 эВ. С другой стороны, для O 1 на рис. 2B два деконволюционных субпика появляются при 530,3 и 531,6 эВ, соответственно, и приписываются связям Mo – O и Mo – OH ( 20 ).

Чтобы сопоставить стехиометрический химический состав пленки H _y MoO _{3− x} с условиями выращивания ALD, мы представили процентное содержание различных степеней окисления Mo (Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ ; закрашенные символы) и состояния O (Mo – O и Mo – OH; пустые символы) в зависимости от различного отношения потоков C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ до H ₂ Предшественники O во время различных процессов роста ALD на рис.2С.

Здесь стоит отметить два интересных результата. Во-первых, существует положительная корреляция между процентным содержанием / концентрацией степени окисления Mo ⁶⁺ и связью Mo – OH (рис. 2C). Это говорит о том, что вовлеченные прекурсоры способствуют зарождению соединения OH – Mo – O, то есть H _y MoO _{3− x} , с состоянием Mo ⁶⁺ , которое представляет собой самый высокий уровень молибдена. степень окисления. Во-вторых, при коэффициенте потоков C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ до H ₂ O из 6.2, мы получаем самую высокую концентрацию степени окисления Mo ⁶⁺ в пленке H _y MoO _{3- x} . Таким образом, мы выбрали этот образец для дальнейшего анализа и изготовления полевых транзисторов. На основе процентного содержания степеней окисления Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ из ядер Mo 3d уровней и связей Mo – O и Mo – OH из O 1s, мы получаем состав H _2.3 MoO _2.5 для данного образца. Это соединение богато соединениями Mo – OH (~ 78%) и имеет низкую долю кислородных вакансий (~ 18%).Здесь следует отметить, что основной механизм, ответственный за образование Mo – OH в H _y MoO _{3− x} , связан с тем, что атомы водорода из предшественника H ₂ O образуют ковалентные связи с концевым кислород и мостиковые атомы MoO _x (см. атомный эскиз на рис.1) ( 21 , 22 ). Сосуществование низкой фракции состояний восстановления Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ дополнительно поддерживает характеристики восстановления оксида содержащего водород MoO ₃ , образуя конечный H _y MoO _{3− x} ( 20 ).

Улучшение переноса дырок на границе TMO / 2DHG

Для изучения возможности изменения стехиометрии и термостабильности выращенных методом ALD пленок MoO ₃ и H _y MoO _{3– x} мы исследовали воздействие быстрого термического отжига (RTA) на пленки. Перед RTA и для облегчения определения характеристик электрического эффекта Холла мы напыляли омические контакты Ti / Au структуры Ван-дер-Пау через теневую маску для изготовления процесса с минимальным вмешательством.После этого в течение нескольких минут последовательно выполняли RTA при 600 ° C в окружающей среде N ₂ . После каждой обработки RTA электрические свойства алмаза: H / MoO ₃ измеряли с помощью эффекта Холла для отслеживания эволюции концентрации и подвижности носителей.

Результаты, показанные на рис. 3 (A и B), показывают сильное ухудшение концентрации и подвижности 2D-дырок для образца MoO ₃ . В частности, после обработки RTA в течение 3 минут концентрация 2D-дырок сильно ухудшилась с 7.9 × 10 ¹³ см ⁻² до 5,3 × 10 ¹² см ⁻² , а подвижность дырок упала с 26,2 до 18,4 см ² / В⋅с. Эти результаты, скорее всего, связаны с хрупкой природой MoO ₃ и восстановлением его степени окисления после RTA. Это подтверждается соответствующим анализом Mo 3d-спектров измерений XPS (показан на фиг. 3C). Свежий алмаз: образец H / MoO ₃ до RTA показывает высокое содержание Mo ⁶⁺ (94%). После 5-минутного RTA наблюдается высокий уровень кислородного дефицита с уменьшением содержания Mo ⁶⁺ (57%), увеличением Mo ⁵⁺ (с 6 до 34%) и появлением Mo ^{4. +} (от 0 до 9%) состояний оксида (рис.3С).

Рис. 3 Электрические характеристики и характеристики поверхности до и после технологического изготовления.

( A ) Концентрация слоев на эффекте Холла и ( B ) дырочная подвижность алмаза: H / H _2,3 MoO _2,5 по сравнению с алмазом: H / MoO ₃ Структуры STD в сравнении с эффектом RTA (600 ° C) . ( C ) Измерения спектров ядра на уровне ядра XPS Mo 3d алмаза: H / H _2,3 MoO _2,5 и алмаза: H / MoO ₃ до и после 6-минутного RTA.Отмечены степени окисления Mo для Mo ⁶⁺ , Mo ⁵⁺ и Mo ⁴⁺ . Спектры UPS синтезированных слоев оксида Мо, показывающие ( D ) вблизи валентной зоны края Ферми и ( E и F ) область вторичной отсечки сразу после их синтеза (MoO ₃ и H _y MoO ₃ ) и соблюдение соответствующих оптимизированных технологических условий изготовления (MoO _{3- x} и H _y MoO _{3- x} ).

В отличие от этого, для случая H _2,3 MoO _2,5 ALD, применение тех же условий RTA значительно увеличивает концентрацию дырок и подвижность. Наплавленный алмаз: H / H _2,3 MoO _2,5 образец показывает слабые характеристики p-типа с концентрацией листовых дырок 3,3 × 10 ¹² см ^-2 и подвижностью дырок 9,8 см ² / V⋅s (рис.3, A и B). После RTA при 600 ° C концентрация дырок и подвижность увеличивались с увеличением времени отжига и достигли самых высоких значений после 3-минутного RTA: 1.9 × 10 ¹³ см ⁻² и 22,4 см ² / В⋅с соответственно. Мы связываем это с улучшением эффективности переноса носителей и качества алмаза: H / H _2,3 MoO _2,5 граница раздела после термического отжига. Более длительное RTA, чем 5 минут, ухудшает характеристики, возможно, в результате диффузии водорода из алмаза: H и / или нарушения гладкой морфологии H _2.3 MoO _2.5 .

Соответствующие спектральные измерения Mo 3d показывают гораздо более низкую скорость окисления для H _y MoO _{3- x} по сравнению с MoO ₃ после воздействия RTA.Мы наблюдаем небольшое снижение содержания Mo ⁶⁺ (с 82 до 76%), умеренное увеличение содержания Mo ⁵⁺ (с 12 до 20%) и небольшое снижение содержания Mo ⁴⁺ (с 6 до 4%) оксидных состояний (рис. 3С).

Кроме того, измерения ультрафиолетовой фотоэмиссии (UPS) с линией возбуждения HeI (21,22 эВ) были выполнены на эталонных образцах слоя TMO сразу после их синтеза и в соответствии с соответствующими условиями процесса изготовления полевых транзисторов. В MoO ₃ и MoO _{3- x} , что указывает на слой в состоянии выращивания и тот же слой после процесса изготовления, соответственно, UPS показывает значения работы выхода 6.7 и 5,05 эВ (рис. 3F). MoO ₃ в конечном итоге показывает появление заполненных состояний при 2,2 эВ ВЭ вблизи уровня Ферми внутри запрещенной зоны (рис. 3D), соответствующих d-d полосам, предположительно образованным восстановлением кислорода в слое ( 44 ). В H _y MoO ₃ и H _y MoO _{3- x} , что указывает на то, что гидрогенизированный слой был выращен и тот же слой после полного процесса устройства (включая RTA), соответственно ИБП показывает постоянное значение работы выхода 5.9 эВ для обоих из них (рис. 3F) и показывает дополнительное появление π * -зонных состояний на 1,2 эВ ВЭ от уровня Ферми (рис. 3D). Это согласуется с предыдущим отчетом ( 45 ). Обратите внимание, что слой H _y MoO _{3- x} (рис. 3D, красная линия) после полного изготовления процесса полевого транзистора является единственным, имеющим оба типа состояний зазора, полосы dd и π *, близкие к Край Ферми, тогда как H _y MoO ₃ (рис. 3D, оранжевая линия) и MoO _{3− x} (рис.3D, синяя линия) имеют только полосы π * или d-d соответственно.

Улучшенная транспортировка 2D отверстий в алмазе: H / H

_2,3 MoO _2,5 FET

Алмаз: H / H _2,3 MoO _2,5 и алмаз: H / MoO ₃ полевых транзисторов были изготовлены с детальной обработкой на рис. S3 и с типичным соответствием структуры интерфейса поперечного сечения, как показано на рис. S4. Этап RTA (3 мин при 600 ° C в среде N ₂ ) был опущен для изготовления устройства с алмазом: H / MoO ₃ , поскольку было обнаружено, что он ухудшает межфазные характеристики.Все остальные этапы процесса были идентичны для обоих типов полевых транзисторов и выполнялись одновременно.

Электрические характеристики типичных полевых транзисторов с идентичными размерами (см. Подпись) показаны на рис. 4. Оба устройства демонстрируют поведение p-типа, но ромб: H / H _2,3 MoO _2,5 Полевые транзисторы значительно превосходят ромб. : H / MoO ₃ устройств. Ромб: H / H _2,3 MoO _2,5 Полевые транзисторы демонстрируют хорошо насыщенные выходные характеристики с соотношением ВКЛ / ВЫКЛ, равным пяти порядкам величины.Напротив, ромбовидные полевые транзисторы H / MoO ₃ показывают гораздо более низкий ток, более высокую выходную проводимость и очень плохие подпороговые характеристики. Это может быть связано с износом границы раздела алмаз: H / MoO ₃ во время обработки и, как следствие, с формированием неблагоприятного выравнивания энергетических уровней на границе раздела алмаз: H / MoO _{3- x} , вызванное состояниями щели из восстановление кислорода.

Рис. 4 Сравнение характеристик полевого транзистора.

Сравнение алмаза: H / H _2.3 MoO _2,5 ( A от до C ) и алмаз: H / MoO ₃ (от D до F ) Характеристики полевого транзистора с теми же размерами: длина затвора 24 мкм, затвор 40 мкм ширина и разделение между истоком / стоком и затвором 15 мкм: (A по сравнению с D) выходные характеристики, (B по сравнению с E) подпороговые характеристики и (C по сравнению с F) крутизна и характеристики передачи (обратите внимание на разные масштабы).

Основные параметры двух типов транзисторов приведены на рис.5Б. Это также включает измерения на стержневых структурах Холла, которые, как подробно описано выше, были изготовлены отдельно с помощью безопасного процесса изготовления. Измерения Холла дают подвижность дырок и концентрацию слоев 22,4 см ² / В · с и 1,9 × 10 ¹³ см ⁻² для алмаза: H / H _2,3 MoO _2,5 (после 3-минутного RTA) по сравнению с 26,2 см ² / V⋅s и 7,9 × 10 ¹³ см ⁻² для алмаза: H / MoO ₃ (без RTA).Контраст между электрическими характеристиками полевых транзисторов и структур Холла не может быть более резким. Процесс изготовления полевого транзистора приводит к серьезной деградации алмаза: H / MoO ₃ структур по отношению к алмазу: H / H _y MoO _{3- x} единиц.

Рис. 5 Модель линии передачи и ключевые метрические значения для обоих транзисторов.

( A ) Слева: I — Кривые , измеренные на испытательных структурах TLM с расстояниями ( D = от 10 до 45 мкм) на алмазе: H / MoO ₃ (черные линии) и ромб: H / H _y MoO _{3− x} (красные линии) образцы (справа).Линейные аппроксимирующие кривые соответствующего образца шаблона TLM. R _c и R _sh обозначают контактное и листовое сопротивление соответственно. Тестовые структуры интегрированы с полевыми транзисторами и прошли весь процесс изготовления полевых транзисторов. Значения расстояний являются фактическими измерениями, полученными с помощью сканирующей электронной микроскопии (SEM). ( B ) Сравнение показателей качества в алмазе: H / MoO ₃ и алмазе: H / H _2,3 MoO _2.5 устройств на полевых транзисторах после полного технологического изготовления и конструкции стержней Холла до технологического изготовления.

Классическая двухпортовая модель линии передачи (TLM) измерения проводились на алмазе: H / H _y MoO _{3- x} и алмазе: H / MoO ₃ образцов после процесса изготовления устройства (Рис. 5). Результаты показывают в семь раз меньшее значение контактного сопротивления ( R _c = 11 кОм мкм) при значительно более низком значении сопротивления листа ( R _sh = 43 кОм / кв) для алмаза: H / H _y MoO _{3− x} по сравнению с алмазом: H / MoO ₃ ( R _c = 75 кОм мкм и R _sh = 260 кОм / кв).Эти результаты дополнительно демонстрируют превосходную устойчивость алмаза: H / H _y MoO _{3- x} структур по отношению к процессу изготовления полевых транзисторов.

Превосходство алмаза: H / H

_y MoO _{3− x} модуляция интерфейса

Предыдущий раздел показал значительно улучшенную надежность алмаза: H / H _y MoO _{3 — x} интерфейс по отношению к алмазу: интерфейс H / MoO ₃ в процессе изготовления полевого транзистора.В этом разделе мы обсудим роль интерфейсной модуляции результирующего согласования энергии полосы 2DHG и TMO в этих результатах.

Исходный случай необработанного алмаза Холла: структура H / MoO ₃ (рис. 6A) показывает слой скопления дырочного газа большого объема (7,9 × 10 ¹³ см ^-2 ) с подвижностью дырок 26,2 см ² / Vs. Эти результаты приписываются высокому значению работы выхода MoO ₃ ~ 6,7 эВ, что дает глубоко залегающую 2DHG с высокой концентрацией носителей.Однако этот сценарий, к сожалению, не сохраняется после изготовления полевого транзистора, поскольку MoO ₃ имеет тенденцию быстро восстанавливаться до MoO _{3- x} во время процесса (рис. 3C). Структура алмаза: H / MoO _{3− x} после изготовления полевого транзистора (рис. 6B) страдает от слоя накопления дырочного газа уменьшенного объема (3,2 × 10 ¹² см ⁻² ) с плохой подвижностью дырок ( 2,1 см ² / В⋅с) из-за ухудшения работы выхода ~ 5 эВ. Следовательно, меньшая плотность носителей доступна для транспортировки в 2DHG.Уменьшенный MoO _{3– x} приводит к появлению разделенных состояний d-d и d-d * (рис. 3D), которые могут вмещать электроны и вносить вклад в формирование 2DHG на алмазной стороне границы раздела. В случае MoO ₃ электроны, скорее всего, переходят в зону проводимости.

Рис. 6 Сравнение энергетических диаграмм зон для различных случаев гетероструктуры сечения.

Зонная энергетическая диаграмма гетероструктуры в поперечном сечении для различных конфигураций интерфейса в соответствии с их стехиометрической ситуацией: ( A ) алмаз: H / MoO ₃ предварительно обработанная структура, ( B ) алмаз: H / MoO _{3 — x} / Ti-Au и ( C ) алмаз: H / H _y MoO _{3− x} / Ti-Au после изготовления устройства.

В отличие от этого, алмаз: H / H _y MoO _{3- x Интерфейсный полевой транзистор} (рис. 6C) имеет относительно высокую плотность слоя скопления дырочного газа (5,1 × 10 ¹² см ⁻² ) и относительно высокая подвижность дырок 19,5 см ² / В · с из-за H _y MoO _{3− x} значение устойчивой работы выхода 5,9 эВ. В данном случае целенаправленно модулированный H _2.3 MoO _2.5 стехиометрический слой (настраиваемый путем выбора оптимизированных условий RTA, обеспечивающих максимальную концентрацию носителей) извлекает выгоду из благоприятного пути прямого транспорта для доступных носителей из канала 2DHG через его выровненные и соединенные вместе состояния dd и π-π * (состояния окисления как наблюдается на рис. 3, В и D) вдоль слоя до контактов. Это более позднее преимущество также подтверждается значительно более низкими результатами сопротивления доступа для этого полевого транзистора по сравнению с предыдущим случаем (рис.5Б).

Полученный таким образом модулированный алмаз: H / H _y MoO _{3− x} интерфейс демонстрирует три одновременных преимущества: (i) превосходную стойкость H _y MoO _{3− x} свойств слоя во время изготовления полевого транзистора, что увеличивает его химическую стабильность и сохраняет высокое значение работы выхода H _y MoO _{3− x} во время технологического процесса изготовления устройства; (ii) сохранившийся глубоко залегающий 2DHG в недрах алмаза, генерирующий относительно высокую плотность и подвижность носителей; и (iii) выровненная электронная структура настроенного алмаза: H / H _2.3 MoO _2,5 , вызывающая промежуточные d-d и π-π * щелевые состояния, расположенные в запрещенной зоне, что делает его наиболее благоприятным для транспорта носителей заряда от 2DHG алмаза к контактам.

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

Подготовка образцов

Образцы нелегированных монокристаллов алмаза типа IIa (100) очищали в кипящем растворе пираньи (смесь концентрированной H ₂ SO ₄ и 30% H ₂ O ₂ ), а затем подвергали воздействию чистой водородной плазмы в реакторе химического осаждения из паровой фазы при температуре около 650 ° C в течение 40 минут для подготовки поверхности с водородной концевой группой.При воздействии окружающего воздуха алмаз с концевыми водородными группами, то есть алмаз: H, легко поглощает водные частицы, которые действуют как спонтанные поверхностные акцепторы электронов. Полученный алмаз: H / H ₂ O демонстрирует концентрацию отверстий в листе 1,8 × 10 ¹³ см ⁻² и подвижность отверстий 20,6 см ² / В · с при комнатной температуре.

Образцы алмаза: H / H ₂ O затем были отожжены на месте в вакуумной камере ALD (10 ⁻⁶ торр) при 350 ° C в течение нескольких минут для десорбции любых связанных с воздухом адсорбатов и исключения их возможных вклад в проводимость.После этого MoO ₃ наносили методом ALD при 167 ° C с использованием последовательных импульсов прекурсоров гексакарбонила молибдена [Mo (CO) ₆ ] и озона (O ₃ ) и продувочного насоса для каждого цикла. Оптимизированная толщина составляла 4 нм и была подтверждена эллипсометрией. В отдельном образце алмаза: H толщиной ~ 4 нм H _y MoO _{3- x} ALD наносили с использованием бис ( t -бутилимидо) бис (диметиламино) молибдена (VI) (C ₁₂ H ₃₀ MoN ₄ ) в качестве прекурсора Mo и чистого H ₂ O в качестве источника O и OH при 350 ° C.Условия роста ALD были оптимизированы путем изучения различных соотношений потоков предшественников.

Характеристика

Электрические измерения, включающие тип носителя, концентрацию носителя и подвижность, были измерены с использованием эффекта Холла в конфигурации Ван-дер-Пау с магнитным полем до 1,5 Тл. Четыре симметричных электрода Ti / Au, размещенных на верхнем слое образцы использовались в качестве электрических контактов.

Измерения XPS использовались для характеристики химической связи и определения зонной структуры пленок.Эти измерения проводились в системе Thermo VG Scientific Sigma Probe с использованием источника монохроматического рентгеновского излучения Al Kα (1486,6 эВ) в объемном и поверхностном режимах. Спектры остовных уровней Mo 3d и O 1s были получены с энергией прохождения 20 эВ. Спектрометр BE был откалиброван путем установки базового уровня Au 4f _7/2 на 84,0 эВ. Аппроксимация кривой была сделана с помощью программного обеспечения XPSPEAK 4.1 с использованием свертки функции Фойгта с вычитанием фона по типу Ширли. Для ИБП использовали ультрафиолетовый свет HeI ( hv = 21,22 эВ).Образцы были смещены при -5 В в измерениях UPS, чтобы отделить области отсечки с высоким BE и получить абсолютную оценку значений работы выхода. Данные XRD (рис. S2) были получены с использованием Bruker D8 ADVANCE Eco XRD с излучением Cu Kα (α = 1,5406 Å) от 5 ° до 65 ° с шагом 0,02 ° и временем счета 0,2 с.

Изготовление полевых транзисторов

Алмаз: полевые транзисторы на основе H были изготовлены в соответствии с процессом, описанным на рис. S2. Вкратце, после H _y MoO _{3- x} и MoO ₃ ALD, 20-нм Ti / 200-нм Au электроды исток-сток испарялись электронным пучком через теневую маску.Затем 3-минутный RTA при 600 ° C в среде азота был выполнен только для алмаза: образец H / H _2,3 MoO _2,5 с последующим нанесением 20-нм HfO ₂ методом ALD при 250 ° C в качестве диэлектрического слоя. Наконец, изоляция канала с использованием электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления и последующее нанесение на затвор 20 нм Ti / 200 нм Au через теневую маску были выполнены для создания окончательных полевых транзисторов.

Измерения двухполюсной линии передачи

Классические двухпортовые измерения TLM были выполнены на ромбе: H / H _y MoO _{3− x} и ромб: H / MoO ₃ следующих образцов изготовление устройства.Линейные посадки общего сопротивления ( R _T ) в зависимости от расстояния рисунка TLM ( L ) от 10 до 40 мкм после R _T = 2 R _c + LR _sh / Затем были выполнены W . Ширина канала ( W ) составляла 40 мкм, R _c — контактное сопротивление, а R _sh — сопротивление полупроводникового листа.

Подвижность дырок

Двумерная подвижность дырок (μ) для алмаза: H / H _2.3 MoO _2,5 и алмаз: H / MoO ₃ полевых транзисторов оценивается на основе измеренных передаточных характеристик в линейном режиме путем выполнения расчета по формуле ( 46 ) (1) где длина канала L _g составляет 24 мкм, а ширина канала W составляет 40 мкм для обоих типов полевых транзисторов. Диэлектрическая проницаемость ε _o в воздухе составляет 8,85 × 10 ⁻¹² Ф / м, диэлектрическая проницаемость ε _r для HfO ₂ составляет 18 ( 41 ), а толщина d составляет 20 нм.

При выводе мобильности мы использовали внутренние значения В _GS , то есть В _GSi , и внутренние значения В _DS , то есть В _DSi , полученный с учетом роли сопротивлений истока и стока ( 46 ). Наконец, после расчета максимальная подвижность алмаза: H / H _2,3 MoO _2,5 и алмаза: H / MoO ₃ составляет 19,5 и 2,1 см ² / В⋅с соответственно, как показано на рис.5Б.

Концентрация отверстий в листе

Концентрация отверстий в листе ( P _s ) рассчитывается по формуле ( 46 ) (2), где В _GSi — собственное напряжение затвора, В _T — пороговое напряжение, извлеченное из передаточных характеристик, а e — элементарный заряд. Этот расчет дает концентрацию отверстий в листе 5,1 × 10 ¹² см ^–2 и 3,2 × 10 ¹² см ^–2 соответственно для алмаза: H / H _2.3 MoO _2,5 и алмаз: H / MoO ₃ , как показано на фиг. 5B.

Благодарности: Мы благодарим Б. Мейлера и К. Вайнфельда (подразделение Micro-Nano Fabrication и Институт твердого тела Техниона) за техническую помощь с ALD и UPS. Финансирование: Эта работа была поддержана Программой трансформационной науки Американо-израильского фонда двусторонних наук (грант № 2014506) и исследовательским грантом профессора Амара Дж. Бозе. Вклад авторов: M.T.и З.Я. спроектировал и провел эксперименты и охарактеризовал структуры образцов. M.T. и З.Я. изготовлены и охарактеризованы устройства. M.T. и Ю.Л. характеризует TLM. З.Я. и М. проанализировали данные. M.T., Z.Y. и J.A.d.A. соавтор рукописи. Z.Y., M.T., Y.L., A.V., R.K. и J.A.d.A. обсудили результаты и прокомментировали рукопись. J.A.d.A. курировал проект. Образцы были приготовлены в Технионе. Изготовление и определение характеристик устройства были выполнены в лабораториях Microsystems Technology Laboratories Массачусетского технологического института. Конкурирующие интересы: Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих интересов. Доступность данных и материалов: Все данные, необходимые для оценки выводов в документе, представлены в документе и / или дополнительных материалах. Дополнительные данные, относящиеся к этой статье, могут быть запрошены у авторов.

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Есть много причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.
  Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
  браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.
  Вы должны отключить приложение при входе в систему или уточнить у системного администратора.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie
потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файлах cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт
не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к
остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

BOSS TU-10-BU Clip-On Chromatic Tuner Blue — Bananas at Large®

Мы понимаем, что когда вы делаете заказ, вы хотите получить свое снаряжение как можно быстрее, и мы сделаем все возможное, чтобы это произошло! Большинство товаров, которые мы продаем, будут доставлены быстро и быстро у ваших дверей.В большинстве случаев заказы отправляются в течение 1-3 рабочих дней. Сроки отгрузки и доставки не гарантируются, если не указано иное.

Большинство заказов 100 долларов США и более имеют право на БЕСПЛАТНУЮ доставку в пределах континентальной части США. Могут применяться некоторые исключения.

Подробную информацию см. В нашей полной политике доставки.

Купить в Интернете, забрать в магазине

Заказать онлайн и забрать в любом магазине БЕСПЛАТНО. Избегайте затрат на доставку и время доставки через Интернет, и в большинстве случаев получите свой заказ быстрее.Наслаждайтесь удобством получения в магазине и безопасностью, зная, что вы можете легко вернуть товар, если он не соответствует вашим требованиям в рамках нашей политики возврата.

Мне интересно! Что мне нужно сделать?

1. Разместите заказ на bananas.com, а выберите Самовывоз в магазине для предпочтительного местоположения при оформлении заказа.
2. Мы свяжемся с вами по электронной почте или по телефону, когда он будет готов к отправке. Это нужно раньше? Просто позвоните нам, и мы сделаем все возможное, чтобы это организовать: 888-900-1959.
3. Принесите копию своего действительного государственного удостоверения личности, например водительских прав , а также цифровую или распечатанную копию подтверждения заказа в ближайший магазин.
4. У вас есть 2 варианта: Бесконтактный пикап или Забрать в магазине .
   1. Бесконтактный пикап на обочине: когда вы прибудете в магазин, позвоните нам, и мы доставим ваш заказ, чтобы подтвердить ваше удостоверение личности, разместить в своем автомобиле, и вы готовы к работе!
   2. Получение в магазине: войдите в магазин, покажите свое удостоверение личности и заберите свой заказ.

Как это работает?

После того, как вы разместите заказ в Интернете, выбранный магазин получит ваш заказ.Затем товар выбирается из текущего инвентаря магазина и готовится к вывозу. Если товары находятся в другом магазине, может потребоваться более длительное время ожидания, так как нам необходимо передать их в выбранное вами место. Все это часть нашего бесплатного сервиса. Мы свяжемся с вами, когда он будет готов, и сообщим, если что-нибудь изменится. Как только ваш заказ будет готов, вы можете прийти в магазин, чтобы забрать свой заказ, ИЛИ позвонить нам, когда вы приедете, и мы предоставим вам бесконтактный трансфер на обочине вашего автомобиля.

Большинство заказов готовы в течение 24 часов; Тем не менее, пожалуйста, учитывайте дополнительное время обработки в зависимости от товара, размера заказа и местоположения магазина. Если вам нужно забрать заказ раньше, позвоните нам в любое место.

Подробную информацию см. В нашей полной политике доставки.

Местная доставка до порога

Во время этой пандемии и приказов «Оставайтесь дома», Bananas здесь, чтобы помочь вам поддержать вашу местную экономику, делать покупки в местных магазинах, воплощать ваши музыкальные мечты быстрее, чем в Интернете, и оставаться в безопасности и оставаться здоровыми! Доступны бесплатные и быстрые варианты!

FAST : Ваши музыкальные мечты исполнятся быстрее! — Получите доставку в тот же день от $ 35 *.

Сделайте покупки в Интернете немного проще. Мы предлагаем простой способ «Заказать онлайн, доставить до порога».

В настоящее время эта услуга доступна для следующих городов в Калифорнии: Сан-Рафаэль, Сан-Ансельмо, Фэрфакс, Ларкспур, Гринбра, Корте-Мадера, Новато, Саусалито, Бельведер / Тибурон, Росс, Кентфилд и Милл-Вэлли. Стоимость доставки указана при оформлении заказа. Есть вопросы? … Свяжитесь с нами!

* Получите доставку в тот же день для заказов со склада, полученных и обработанных до 14:00, в противном случае доставка будет на следующий рабочий день.Стоимость доставки зависит от веса, места доставки и стоимости доставки. Любые суммы свыше 35 долларов — перед доставкой вы получите уведомление о необходимости подтверждения. Это только удобный вариант. Доставка осуществляется сторонней службой доставки и осуществляется только до порога. Принимая этот процесс доставки, вы тем самым освобождаете Bananas At Large Inc от любой ответственности, поскольку Bananas At Large не является агентом по доставке и не несет ответственности за утерянные или украденные продукты.

Выбирая этот вариант, вы понимаете и соглашаетесь со следующими условиями:

• Действуют некоторые ограничения.Только для товаров в наличии и в наличии.
• Вы просите Bananas at Large заключить договор от вашего имени со сторонней службой.
• Bananas At Large гарантирует, что продукт будет доставлен к вашему порогу с фото-подтверждением доставки.
• Bananas не может и не несет ответственности за сохранность или сохранность упаковки после того, как она будет доставлена ​​к вашему порогу.
• Вы понимаете и принимаете риск и ответственность за свою посылку после ее доставки.
• За крупногабаритные и тяжелые предметы может взиматься дополнительная плата.
• В определенные зоны доставки и дома с проблемами доступа может взиматься дополнительная плата или они могут не соответствовать критериям доставки.
• Если последняя складская единица находится в нашем магазине в Санта-Роза, может произойти задержка доставки, которая может занять дополнительный рабочий день, чтобы передать ее в наш Сан-Рафаэль

БЕСПЛАТНО : Бесплатная доставка по городу в течение 1-3 дней

Бесплатная доставка на месте в течение 1–3 дней для заказов на сумму свыше 199 долларов США *. Свяжитесь с нами для уточнения деталей.

Если вы не спешите получать свои товары и хотите бесплатную доставку, выберите опцию Бесплатная местная доставка при оформлении заказа. Ваш заказ будет обработан и доставлен в течение 2-3 рабочих дней.

* Относится только к товарам с полной ценой. Не суммируется с другими предложениями или акциями, включая Bananas Rewards.

В настоящее время эта услуга доступна для следующих городов в Калифорнии: Сан-Рафаэль, Сан-Ансельмо, Фэрфакс, Ларкспур, Гринбра, Корте-Мадера, Новато, Саусалито, Бельведер / Тибурон, Росс, Кентфилд и Милл-Вэлли.Стоимость доставки указана при оформлении заказа. Есть вопросы? … Свяжитесь с нами!

Выбирая этот вариант, вы понимаете и соглашаетесь со следующими условиями:

• Действуют некоторые ограничения. Только для товаров в наличии и в наличии.
• Вы просите Bananas at Large заключить договор от вашего имени со сторонней службой.
• Bananas At Large гарантирует, что продукт будет доставлен к вашему порогу с фото-подтверждением доставки.
• Bananas не может и не несет ответственности за сохранность или сохранность упаковки после того, как она будет доставлена ​​к вашему порогу.
• Вы понимаете и принимаете риск и ответственность за свою посылку после ее доставки.
• За крупногабаритные и тяжелые предметы может взиматься дополнительная плата.
• В определенные зоны доставки и дома с проблемами доступа может взиматься дополнительная плата или они могут не соответствовать критериям доставки.
• Если последняя складская единица находится в нашем магазине в Санта-Роза, может произойти задержка доставки, которая может занять дополнительный рабочий день, чтобы передать ее в наш Сан-Рафаэль

Подробную информацию см. В нашей полной политике доставки.

Только местный самовывоз

Некоторые товары доступны только для местного самовывоза. Если вы хотите, чтобы этот товар был доставлен, позвоните или напишите нам по телефону 1 (888) 900-1959, чтобы обсудить варианты доставки.

Трубы

Bananas не дает гарантии на пробирки в пути. Мы предлагаем услуги по удалению ламп и индивидуальной пузырчатой ​​пленке за 45 долларов США по запросу клиента (для стандартных усилителей, более сложные усилители, требующие больше времени, могут иметь более высокую плату). Клиенты, покупающие любой трубчатый продукт и отправляющий его, должны понимать и понимать, что Bananas не несет ответственности за повреждение тюбиков во время транспортировки.Это касается всех новых и бывших в употреблении продуктов. Некоторые производители в качестве любезности предлагают гарантию на трубки на свои новые продукты, и она доступна через гарантийный процесс производителя для всех новых продуктов, где она применяется.

Возвращает

Любой новый товар (кроме указанного в нашей полной Политике возврата), приобретенный у Bananas at Large, может быть возвращен в течение 14 дней с даты выставления счета для полного возмещения, обмена или кредита. Все бывшие в употреблении товары могут быть возвращены в течение 48 часов.